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搜索结果: 1-2 共查到核科学技术 陷阱相关记录2条 . 查询时间(0.119 秒)
沿面放电是破坏绝缘系统性能的原因之一。聚酰亚胺常用于高频电力设备的气-固绝缘中,为此利用密度泛函理论,从原子分子层面探讨了在外电场下聚酰亚胺及其受极性基团OH–影响后的单分子链结构、能级与态密度、静电势、激发态等微观参数对陷阱形成以及沿面放电的影响。结果表明,外电场下,聚酰亚胺分子结构卷曲,偶极矩增加,易于积聚电荷形成空间电荷中心,尤属引入极性基团OH–后变化较明显;聚酰亚胺分子中,苯环区域形成空...
利用亚阈测量技术对BF+2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。对BF+2 注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。

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