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中国科学院微电子所在氮化镓表面态物理起源与抑制方面取得新进展（图）
氮化镓表面 态物理起源 电子应用
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2023/8/21
2023年7月5日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所合作在氮化镓（GaN）表面态物理起源与抑制研究方面取得了重要进展，揭示了GaN表面天然氧化物中的无定型Ga2O是界面态的主要来源，创新研发出高温（500℃）远程等离子体表面修饰方法以有效去除该成分，成功恢复了GaN表面原子级台阶流形貌（超净GaN表面的代表性特征），显著抑制了介质/GaN间的深能级界面态，改善了...
