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低能正电子致厚靶特征X射线产额的初步实验研究
正电子 特征X射线产额 厚靶 PENELOPE模拟
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2022/3/31
通过10~30keV的正电子轰击纯厚Ti（Z=22）靶，采用超薄灵敏层的Si-PIN探测器收集其产生的X射线，通过HPGe探测器收集正电子在靶中湮没产生的511keV的γ光子计数来计算正电子束流强度，对正电子碰撞厚Ti靶的K壳层特征X射线产额进行了初步测量，并将所得实验数据与基于DWBA（Distorted-WaveBornApproximation）理论的MonteCarlo程序PENELOPE...