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本发明涉及一种钛酸铋基钙钛矿相热敏陶瓷复合材料及其制备方法和用途，该材料使用金属盐作为原料，采用Pechini法制备出xNa0.5Bi0.5TiO3‑(1‑x)Zn0.5Bi0.5TiO3（0）粉体，粉体经干燥、预烧、研磨、预压成型、冷等静压、烧结加工工艺，即可得到钛酸铋基钙钛矿相热敏陶瓷材料，该材料晶粒小且均匀、致密度好，并在温度350‑900℃范围具有明显负...
本发明涉及一种锰镍钴锂氧热敏陶瓷材料的制备方法，该方法以分析纯MnSO4·H2O，CoSO4·7H2O和NiSO4·6H2O配制成浓度为1.2M/L的混合溶液，加入沉淀剂，用氨水调节pH，过滤，洗涤并干燥以获得粉末Mn0.4Co1‑xNi0.6（CO3）2‑X，再将粉末Mn0.4Co1‑xNi0.6(CO3)2‑X和分析纯的Li2CO3研磨，得到粉体...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种具有大长径比通孔的蜂窝状钼基金属陶瓷的加工方法
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种具有大长径比通孔的蜂窝状钨基金属陶瓷的加工方法
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TiB2-NbC-SiC 陶瓷复合材料
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2023/12/27
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
上海硅酸盐所在协同提升锆钛酸铅基压电陶瓷性能参数研究中取得新进展（图）
锆钛酸铅 电陶瓷 性能参数
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2024/3/2
锆钛酸铅（PZT）基压电陶瓷材料由于压电系数高、性能稳定、机械强度大等优点，综合生产工艺简单和价格相对低廉的特点，是目前使用最广泛的压电陶瓷材料。然而，在目前的PZT陶瓷性能改性方法中，压电性的增强通常以牺牲如居里温度、机械品质因数等其他关键性能参数为代价，限制了材料的应用领域。大多数压电陶瓷的各性能参数之间存在一定的制衡，基于新方法新机理突破传统PZT压电陶瓷的性能局限，实现压电陶瓷的多参数共高...
中国科学院金属研究所专利：一种三氧化二铝弥散强化钛二铝氮陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 三氧化二铝 强化钛二铝氮 陶瓷复合材料
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2023/12/26
中国科学院金属研究所专利：一种三氧化二铝弥散强化钛二铝氮陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Ta2AlC 纳米层状 快体陶瓷
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2023/12/25
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
本发明涉及陶瓷基复合材料及制备方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-TaSi2陶瓷复合材料及其制备方法。TaC和TaSi2两种成分相被原位生成,按 体积百分含量计,0＜TaSi2＜100％。具体制备方法是：首先,以钽粉、硅粉和石墨 粉为原料,在树脂罐中干燥条件下球磨12～48小时,过筛后装入石墨模具中冷压 成型(5～20MPa),在真空或通有氩气的热压炉内烧结,升温速率为10～15℃/ 分钟,...
上海硅酸盐所在铁电陶瓷电致应变研究方面取得新进展（图）
铁电陶瓷 微观结 器件
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2024/3/2
铁电陶瓷是具有丰富电学特性的功能材料，利用其电致应变特性可制成微驱动器，具有位移精度高、响应速度快、功耗低等优点，被广泛应用于半导体光刻、激光通讯和生物医药等领域。然而，多数铁电陶瓷的电致应变值的大小仅在0.1%数量级波动，为了提升其电致应变，常采用化学组分设计或晶粒取向工程等优化样品的机电响应性能。2023年来虽陆续有报道宣称在无铅铁电陶瓷中观察到巨大的应变输出（>1%），但是其电致应变曲线却大...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种铈掺杂钙钛矿型高温热敏陶瓷电阻材料及其制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 铈掺杂 钙钛矿型 热敏陶瓷 电阻材料
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2023/12/19
本发明涉及一种铈掺杂高温钙钛矿氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法，该电阻器是由碳酸钡、碳酸钙、二氧化锆、二氧化钛和二氧化铈为原料，采用固相法制备，通过改变掺杂的氧化铈的摩尔量来调节钡钙锆钛氧基热敏电阻的性能。混合研磨后煅烧得热敏电阻粉体，再二次研磨粉体经压制成型得直径10mm，厚度2mm的圆片，再冷等静压300MPa，180s。在1375°C的最佳温度下烧结5小时，以备后续电性能测试分析。陶瓷...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 Nb4AlC3 块体陶瓷
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2023/12/19
本发明涉及一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷及其制备方法。所述 Nb4AlC3块体陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.15,c 为24.22,理论密度为7.06g/cm3。其晶体结构中Al和Nb以较弱的共价键相结 合,使Nb4AlC3在应力作用下易沿(0001)基面产生剪切变形,使晶粒易于产生扭 折和层裂,宏观上表现显微塑性,可用普通的工具钢进行机械加工...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TaC-SiC 陶瓷复合材料
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2023/12/19
本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化 气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成, SiC的百分含量为0～50vol.％。具体合成方法是：以钽粉、硅粉和石墨粉为原料, 在树脂罐中干燥条件下球磨10～40小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20 MPa),在真...
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅氮氧陶瓷 低温制备
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2023/12/18
本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制备技术,特别提供了一种耐高温、 抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法,解决现有技术中制备硅氮氧陶瓷材料时,存 在的温度相对较高、反应时间长等问题。采用一定化学计量比的氮化硅和二氧化 硅为原料,以碳酸锂为烧结助剂,原料经过研磨10-30小时,装入石墨模具中冷 压成型,在通有氮气作为保护气氛的热压炉中烧结,烧结温度为1400-1600℃、 烧结时间为0.1-1小时。本发明...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：致密陶瓷绝缘涂层及制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 致密陶瓷 绝缘涂层
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2023/12/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：致密陶瓷绝缘涂层及制备方法