搜索结果: 1-15 共查到“碳化硅陶瓷”相关记录31条 . 查询时间(0.395 秒)
上海光机所在飞秒激光加工碳化硅陶瓷基复合材料方面取得进展（图）
激光加工 碳化硅 陶瓷基复合材料
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2024/4/14
2024年3月26日，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队与中国科学院上海硅酸盐研究所董绍明院士团队等合作，针对碳化硅陶瓷基复合材料（SiC CMC）精密加工及其过程监测的难题，提出并演示了一种基于飞秒激光成丝加工SiC CMC并通过光丝诱导等离子体荧光对飞秒激光加工过程进行监测的方法。研究结果以“Femtosecond laser filament ablated ...
中国科学院金属研究所专利：一种碳化硅陶瓷管状制品及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅陶瓷 管状制品
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2023/11/24
本发明属于碳化硅陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种高强度、高导热、 低膨胀、抗热冲击性能高、外形尺寸可控的碳化硅陶瓷管状制品及其制备方法。 所述碳化硅陶瓷管组织均匀、具有均一管壁厚度,管壁厚度可以控制在0.5～20mm 之间,管外径可以在5mm～100mm之间,长度最大只受烧结炉限制,管壁可以为 致密结构,也可具有微孔结构；本发明采用有机树脂及SiC粉末为主要原料,利 用挤出成型工艺制备管状预制...
中国科学院金属研究所专利：表面富硅多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 表面富硅 多孔碳化硅陶瓷 表面分子筛涂层
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2023/11/17
本发明涉及一种表面富硅多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用表面富硅多孔碳化硅陶瓷作为载体,使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源,原位水热合成。由于多孔碳化硅陶瓷表面硅层的存在,使分子筛晶体优先在多孔碳化硅陶瓷表面形核,固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,分子筛与多孔...
中国科学院金属研究所专利：一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 硅陶瓷 表面分子筛 涂层材料
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2023/11/11
本发明属于分子筛涂层材料的制备技术,具体为一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用多孔碳化硅陶瓷作为载体,使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源,原位水热合成。多孔碳化硅陶瓷表面具有微孔结构,固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,硅铝比可以精确控制,分子筛与多孔碳化硅陶...
中国科学院金属研究所专利： 碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅陶瓷 表面多孔 沸石分子筛 涂层材料
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2023/11/9
本发明属于沸石晶体催化领域,具体的是涉及一种碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法。所述沸石分子筛涂层在多孔碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,沸石分子筛涂层具有由沸石分子筛的微孔以及沸石晶体相互搭接形成的大孔组成的双重孔道结构。所述制备方法,预先在多孔碳化硅陶瓷表面涂覆一层沸石前躯体溶胶,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水之间的摩尔比为1∶0.1～1.0∶29；然后,在二次生长溶液中进行生长...
中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展（图）
碳化硅陶瓷 增材制造 中国科学院上海硅酸盐研究所
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2023/10/17
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半导体高端芯片生产制程用精密高纯SiC陶瓷结构件。然而，由于SiC是Si-C键很强的共价键化合物，硬度仅次...
中国科学院上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展（图）
碳化硅陶瓷 集成电路
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2023/10/23
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半导体高端芯片生产制程用精密高纯SiC陶瓷结构件。然而，由于SiC是Si-C键很强的共价键化合物，硬度仅次...
上海硅酸盐所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新进展（图）
碳化硅陶瓷 电子半导体
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2023/11/29
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求正在逐渐增多，其中包括核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半导体高端芯片生产制程用精密高纯SiC陶瓷结构件。但是由于SiC 是Si-C键很强的共价键化合物，硬...
中国科学院金属研究所专利：碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅陶瓷 沸石分子筛 涂层材料
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2023/9/25
中国科学院金属研究所专利：碳化硅陶瓷表面多孔拂石分子筛涂层材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：具有碳化硅陶瓷耐磨、蚀衬层的管道或管件及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅陶瓷 蚀衬层 管道 管件
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2023/8/14
中国科学院金属研究所专利：具有碳化硅陶瓷耐磨、蚀衬层的管道或管件及其制备方法
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法
中国科学院上海应用物理研究所 专利 碳化硅 陶瓷材料
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2023/7/14
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法
中科院金属所 专利 纳米碳化硅 陶瓷
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2023/6/25
专利名称：一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法。
碳化硅陶瓷超声波辅助磨削表面完整性研究
碳化硅陶瓷 超声波内圆磨削 表面完整性
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2020/3/3
碳化硅单晶是典型的硬脆材料，具有硬度高、断裂韧性低及化学稳定性高等特性。为了研究其合适的加工工艺，采用超声波辅助内圆磨削的方法对碳化硅陶瓷内圆进行加工，观察其内表面形貌。实验结果表明，超声波辅助磨削更容易实现延性域的磨削。
中国科学院宁波材料技术与工程研究所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂（图）
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 新型 碳化硅 陶瓷 致密化 烧结助剂
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2018/8/21
中国科学院宁波材料技术与工程研究所核能材料工程实验室（筹）前期研究中子吸收硼化物陶瓷发展出颗粒表面包裹的新技术（Journal of European Ceramic Society, 2017，37(15), 4524-4531; Journal of American Ceramic Society, 2018, 101(9), 3780-3786），该方法突破传统的陶瓷球磨工艺效率低的难题，...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所高品质碳化硅陶瓷先驱体研制获进展（图）
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 高品质 碳化硅 陶瓷 先驱体
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2018/8/9
近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所核能材料工程实验室经过研究，制备出一种流动性好（复数粘度0.01～0.2Pa·S）、存储时间长（＞6个月）、氧含量低（～0.1 wt%）、陶瓷产率高（1600℃陶瓷产率达～79wt%）、陶瓷产物中C/Si为～1.1，且1500℃静态氧化后质量变化小于3%的液态超支化聚碳硅烷（LHBPCS）。样品品质获得多个应用单位的肯定。此外，该研究团队在LHBPCS固化交...