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搜索结果: 1-11 共查到物理学 速调管相关记录11条 . 查询时间(0.269 秒)
2022年12月27日,由中国科学院高能物理研究所和湖北汉光科技公司共同研制的2998MHz速调管批量中标武汉大学先进光源项目1.0 GeV电子直线加速器采购项目,标志着国产大功率速调管将批量应用于大型科研装置上,推广应用取得重大突破,为推动国产大功率速调管做大做强具有重要意义。
2020年2月27日和3月7日,环形正负电子对撞机(Circular Electron and Positron Collider,CEPC)650MHz速调管首支样管输出功率分别达到连续波400kW和脉冲800kW(占空比40%),在800kW功率下,微波转换效率62%,1dB带宽>1.0MHz,增益>43dB。CEPC 650MHz速调管样管研制采用产学研联合创新模式,由中国科学院高能物理研究...
2016年9月14日,由中国科学院条件保障与财务局组织,中国科学院电子学研究所四室张瑞团队承担的中国科学院科研装备研制项目“可控热核聚变装置用连续波高功率速调管的研制”通过了现场验收。经专家组对速调管进行现场测试,该速调管的4项主要技术指标优于任务书要求。
相干谐波储存环自由电子激光的相干增强因子正比于光学速调管自发辐射谱调制率的平方,加深光学速调管自发辐射谱的调制是相干谐波储存环自由电子激光研究的重要一环.介绍在中国科学技术大学800MeV电子储存环上所进行的加深光学速调管自发辐射谱调制的研究工作,调制率已从0.236提高到了0.80,为相干谐波产生实验奠定了基础.
由波荡器渡越辐射公式和电子通过wiggler边界产生的长波长辐射公式, 解析给出了电子通过光学速调管时产生的长波长辐射公式. 根据基本的电动力学公式数值计算出合肥同步辐射装置光学速调管的长波辐射, 并将其结果与解析公式的结果进行比较. 计算合肥同步辐射装置的光学速调管和弯转磁铁在红外波段范围内辐射的强度和通量, 表明光学速调管有很好的性能.本文说明, 光学速调管不但可以用来进行相干谐波的试验研究,...
北京正负电子对撞机国家实验室(BEPC)二期工程使用的高功率脉冲速调管运行功率要求在40MW以上, 为此高能物理研究所在引进国外速调管的同时开展了高能所创新项目45MW脉冲速调管设计、制造工作. 这种新型速调管为5谐振腔、单一陶瓷输出窗结构, 增益为50dB, 效率为40%, 工作电压为310kV. 2005年12月成功地完成了45MW速调管样管的测试, 测试结果显示主要技术指标达到了设计要求. ...
Abstract国家同步辐射实验室速调管走廊内的高频微波泄漏,严重影响着速调管走廊内的微波通讯.为了降低速调管走廊的电磁辐射场,抑制走廊的电磁噪声,必须要确定噪声源的位置,而对于空间复杂的泄漏场,噪声源的位置很难确定,我们可以通过测定空间的泄漏场,经过计算,反过来确定噪声源的位置,进而研究抑制走廊电磁噪声的办法.给出了速调管走廊泄漏电磁场的计算方法、计算公式及现场的对比测试.
Abstract介绍了利用HVG-1二极管产生的强流短脉冲电子束源, 开展短脉冲重复频率为100Hz的S波段相对论速调管放大器(RKA)实验研究. 利用无箔空心石墨阴极和0.82T的恒流源引导磁场, 引出了电压约700kV、电流约6.5kA、脉宽(半高宽)25ns的环形电子束. 该电子束经过输入腔和中间腔的调制后, 得到了5kA/22ns的 基波调制电流. 经过输出腔后, 得到了大于1GW/20...
用KARAT-3D全电磁PIC程序,对多注速调管设计模型波束相互作用的物理过程进行3维数值模拟,给出了输出功率、电流等基本的物理参数。在输入电压14 kV,电流20.8 A时候,得到了128 kW的峰值输出功率,峰值效率是43.8%。考察了电子在高频场的运动和电流调制,分析了电流在各互作用腔中的调制,并对多注速调管不同发射度时电子传输进行了研究。结果表明:电子均匀发射时高频场的调制对电流传输效率影...
发展了一种计算多注速调管双重入式谐振腔的计算方法。根据场的等效原理将(模型等效后)腔体划分为二个规则区域,每个区域上的场由公共界面上的虚设磁流所激发。利用格林函数积分法可求得各场的分布,由相邻区域公共边界场的匹配条件得到场匹配方程,从而求解出腔体谐振频率,并采用微扰法对计算数据予以修正,同时可得到腔体另一重要参数特性阻抗。另外使用HFSS软件仿真腔体,并给出计算、仿真、实测数据比较。
离子噪声已成为影响现代微波管性能的一个重要因素,采用一维混合模型研究了速调管的离子噪声,用自编的1维粒子模拟程序对速调管的离子噪声特性进行了分析。采用小信号近似,从理论上推导出了速调管离子噪声与相位畸变关系的表达式,表明微波管相位噪声直接来源于管内离子量的变化。模拟了有离子噪声时速调管的相位特性,对模拟过程做了离子诊断并与实验结果进行比较,证明了模拟过程的正确性。探讨了电子束电流、电压以及聚焦磁场...

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