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三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰
纳米多孔SiO2薄膜 溶胶-凝胶 三甲基氯硅烷 低介电常数(lowκ)
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2009/12/14
以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si－O－Si与Si－OR结构,呈疏水性.在空气中250 ℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si－O...
以三甲基氯硅烷 ((CH3)3SiCl)为改性剂, 采用化学气相沉积法对 HZSM-5 沸石外表面进行修饰, 再通过控制后处理抽空温度, 制得两亲性沸石样品. 在沉积过程中, 改性剂与沸石外表面末端硅羟基作用形成亲油性基团, 使得样品主要呈现出亲油性; 经 423~523 K 抽空处理后, 沉积的 (CH3)3Si 基团发生 Si–C 键断裂而脱附出 1~2 个甲基, 样品表现出两亲性能. ...