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钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其优异的光电性能等特点,在新一代光伏发电领域具有广阔的应用前景,近年来已实现了26%以上的光电转换效率。然而,有机-无机杂化钙钛矿的结晶过程非常复杂。中间相的参与,如混合溶剂相和δ相,使得制备出均匀和高结晶度的钙钛矿膜具有挑战性,并且会导致显著的晶格畸变、随机取向和俘获中心产生。结晶调控被证明是提高钙钛矿薄膜质量和器件性能的有效方法。钙钛矿的结晶过程通常从Pb-I骨架...
美国中国学研究取向转变过程的反思
美国 中国学研究 取向转变
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2024/4/7
从传统汉学向中国学的转变是一个复杂的学术史过程,社会科学在其中发挥了重要的催化作用。特别是20世纪60年代以来,从事中国研究的美国学者通过深入思考,进一步转向跨学科的地区研究。他们开始逐步挣脱“西方中心主义”的束缚,摈弃“冷战”思维,真正走进中国,尝试将社会科学的研究取向与人文历史研究相结合,进行了富有成效的学术研究实践。
上海科技大学物质科学与技术学院陈刚课题组发现制备垂直取向的纯相二维钙钛矿薄膜新方法(图)
垂直取向 纯相 二维钙钛矿 薄膜
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2024/5/9
中国科学院物理研究所衬底取向增强的CaRuO3/SrTiO3界面铁磁性(图)
界面铁磁性 耦合
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2024/3/16
关联氧化物异质界面多自由度之间的强烈耦合相互作用,往往会导致完全不同于体相的奇异物态和新颖物理效应,是设计开发氧化物复合功能材料和新结构器件的有效途径。4d钌酸盐 (ARuO3) 作为复杂氧化物体系中一个重要的家族,表现出巡游铁磁性、磁性Weyl费米子、非常规超导、非费米液体等一系列丰富多彩的物理性质。SrRuO3 作为唯一天然具有铁磁性和强自旋轨道耦合(SOC)的钙钛矿氧化物,成为该体系研究的明...
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种取向热敏薄膜电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 取向 热敏薄膜电阻
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2024/1/12
南京大学现代工学院李朝升课题组提出设计择优取向薄膜的方法(图)
设计择优 取向薄膜 光电子技术
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2024/5/6
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种具有择优取向的掺杂氧化铈催化薄膜及其制备和应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 择优取向 掺杂氧化铈 催化薄膜
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2023/11/14
中国科学院大连化物所实现取向MOF膜用于多组分正异构烷烃分离(图)
无机膜 催化 烷烃分子
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2023/11/6
2023年11月2日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室无机膜与催化新材料研究组研究员杨维慎、班宇杰团队,实现了取向金属-有机框架(Metal-Organic Framework,MOF)膜用于直链/支链正异构烷烃分离。该过程与精馏相比,可节省91%的分离能耗。
中国科学院金属研究所专利:多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备
中国科学院金属研究所 专利 多孔碳化硅 ZSM-5 沸石涂层材料
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2023/10/18
导电软孔薄膜的取向与导电新机理调控研究获进展(图)
导电软孔薄膜 取向 导电新机理 调控
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2023/10/16
中国科学院导电软孔薄膜的取向与导电新机理调控研究获进展(图)
导电软孔薄膜 导电性能 软孔晶体
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2023/10/25
自从解锁了导电能力,具有良好导电性能的软孔晶体(Soft Porous Crystals,SPCs)在传感器和电催化等领域具有广阔的应用前景。2023年10月12日,中国科学院过程工程研究所研究员姚明水与日本京都大学教授Susumu Kitagawa、助理教授Kenichi Otake合作,开发了能够可控制备导电SPCs薄膜晶畴与取向的方法,发现了非电荷转移型调控半导体导电率的新手段。...
中国科学院过程工程研究所过程工程所在导电软孔薄膜的取向调控与新型导电机理探究方面取得进展(图)
导电软孔薄膜 导电机理 导电性能 软孔晶体
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2023/10/27
自从解锁了导电能力,具有良好导电性能的软孔晶体(Soft Porous Crystals, SPCs)在传感器及电催化等领域具有了广阔的应用前景。近日,过程工程所研究员姚明水与日本京都大学教授、院士Susumu Kitagawa,助理教授Kenichi Otake合作开发了能可控制备导电SPCs薄膜晶畴与取向的方法,发现非电荷转移型调控半导体导电率的一种新手段。通过控制分子“站立”和“躺平”行为,...
中国科学院物理研究所SnAs基超导体中压力诱导的轨道重取向(图)
超导电性 二元化合物 轨道
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2023/10/26
超导体的临界温度(Tc)及相关物性由超导基元的配位结构、配位数目和排列方式等参数所决定。在Fe基超导体中,FeAs(Se)4四面体的Fe-As(Se)-Fe夹角和阴离子As(Se)高度等与Tc、正常态输运性质和配对机制密切相关。SnAs基化合物具有丰富的结构和物性,其中层状SnAs基化合物LiSn2As2和NaSnAs具有多样化的堆垛方式,常压下分别展现出超导电性(Tc =1.1-1.3 K)和半...
中国科学院物理研究所SnAs基超导体中压力诱导的轨道重取向(图)
超导电性 二元化合物 轨道
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2023/10/26
超导体的临界温度(Tc)及相关物性由超导基元的配位结构、配位数目和排列方式等参数所决定。在Fe基超导体中,FeAs(Se)4四面体的Fe-As(Se)-Fe夹角和阴离子As(Se)高度等与Tc、正常态输运性质和配对机制密切相关。SnAs基化合物具有丰富的结构和物性,其中层状SnAs基化合物LiSn2As2和NaSnAs具有多样化的堆垛方式,常压下分别展现出超导电性(Tc =1.1-1.3 K)和半...