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本发明涉及一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法,该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、卤钨灯光源、会聚球面镜、样品测试板、电荷耦合器件样品、导轨、三维样品调整台、暗箱、光学准直套筒和计算机组成,将电荷耦合器件样品正对积分球光源出光口,首先进行暗场测试,计算出A、B、C三个通道暗场所有像素位置的灰度值的平均值;再进行亮场测试,计算出三个通道亮场所有像素位置的灰度值的平均值;通过计...
本发明涉及一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,该方法通过对同一天在轨暗场测试采集到的十幅图进行统计,得到十幅图中宇宙射线轨迹总数,然后统计每条宇宙射线轨迹在图像上经过的列数,找出每条宇宙射线轨迹中灰度值最大的像素,以该像素为中心像素,其上下左右各个方向上的像素灰度值逐渐降低,寻找各方向上像素的灰度值介于图像背景灰度值的1.5倍和中心像素灰度值之间的所有像素即为宇宙射线信号源覆盖...
新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
2023年7月20日,中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队,在国际上首次提出了基于离子-电子耦合效应的感存算一体神经形态光电器件,通过模拟人类视觉感知方式,解决红外感知系统分立式架构带来的高延迟和高功耗问题,为大规模硬件集成以及神经形态视觉应用提供了可能。相关研究成果以Reconfigurable, non-volatile neuromorphic photov...
窄带InSb半导体材料以其具有高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称,并成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体 - 超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构,如纳米线或者 2D InSb纳米结构(或量子阱),也因丰富的量子现象、优异的可调控性而显示出巨大的潜力。然而,InSb量子阱由于其大晶格常数,很难在绝缘基板上外延生长...
聚酰亚胺(PI)被誉为处于高分子材料金字塔顶端的材料,具有优异的热稳定性、机械性能、绝缘性能以及化学稳定性,广泛应用于电气、电子器件、航空航天等领域。特别地,具有高透光度的无色PI薄膜是一类新型战略性功能材料,在柔性显示领域具有广阔的应用前景,也是各国进行专利布局的重点。

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