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高破坏阈值半导体可饱和吸收镜
激光器 高破坏阈值 半导体可饱和吸收器
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2008/10/6
该项目旨在研制高破坏阈值的半导体可饱和吸收镜。半导体的双时间饱和吸收特性是产生非线性调制进而在激光器腔内产生超短脉冲的可靠机制。调节半导体量子阱生长温度，以及调节量子阱的厚度和位置，可以有效控制半导体的时间特性和调制深度。通过蒸镀高破坏阈值介质膜，可以有效调节调制深度、饱和通量和破坏阈值。如果将这种半导体可饱和吸收镜应用在半导体泵浦的锁模激光器上，将大大提高此类激光器的功率和稳定性，使得这种激光器...