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搜索结果: 1-3 共查到抛光片相关记录3条 . 查询时间(0.099 秒)
一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法,属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗,工艺复杂,效率低,成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01~5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内,上、下提放至少三次,在槽内放置7天以内,取出再进行正常清洗。本方法工艺简单,效率高,成本低,不存在刷片损伤、划伤等现象,存放时间可由4...
该企业采用自主创新、独立研发的WLEC法工艺技术进行GaAs单晶生产,使该生产GaAs单晶技术工艺达到世界先进水平,填补了国内空白,最终建设完成年产5万片6英寸砷化镓单晶片的生产线。其产品被广泛用于制造无线通信和光通信器件,半绝缘砷化镓单晶已经成为制造大功率微波、毫米波通信器件和集成电路的主要材料。
本文利用扫描电子显微镜和X光电子能谱研究SiC抛光片表面氧化行为,发现Si面比C面的氧化更显著,产生更多的氧化产物,提出利用扫描电子显微镜和X光电子能谱来鉴别SiC晶片的Si面和C面的新方法。

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