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原子尺度调节镓锌混合氮氧化物纳米线能带结构研究方面取得新进展（图）
原子尺度 镓锌混合 氮氧化物 纳米线能带结构
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2021/1/22
近日，国家纳米科学中心宫建茹研究员与南京航空航天大学宣益民教授和中科院高能物理研究所张静研究员合作在原子尺度调节 (Ga1-xZnx)(N1-xOx) 固溶体纳米线能带结构研究方面取得新进展，相关研究成果“Atomic arrangement matters: band-gap variation in composition-tunable (Ga1-xZnx)(N1-xOx) nanowire...
静水压调控拓扑材料ZrTe5能带结构研究获进展（图）
静水压 拓扑材料 ZrTe5 结构研究
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2017/5/27
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心副研究员张警蕾与研究员田明亮课题组、浙江大学袁辉球课题组合作，在静水压调控拓扑材料ZrTe5能带结构研究中取得新进展。相关研究结果以Disruption of the Accidental Dirac Semimetal State in ZrTe5 under Hydrostatic Pressure 为题在美国物理学会期刊《物理评论快报》（Phy...
近期，强磁场中心张警蕾副研究员与田明亮课题组、浙江大学袁辉球课题组合作，在静水压调控拓扑材料ZrTe5能带结构研究中取得重要进展。相关研究结果以Disruption of the Accidental Dirac Semimetal State in ZrTe5 under Hydrostatic Pressure为题在美国物理学会期刊Physical Review Letters上发表。
应变量子阱能带结构的数值分析
应变量子阱 6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量 Matlab
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2014/3/20
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,讨论了量子阱结构中的应变效应,用k·p微扰理论给出包括重空穴带、轻空穴带和自旋-轨道分裂带相互作用和考虑应变作用的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,利用Matlab精确求解,并进行数值模拟得到了布里渊区中心的导带结构、价带结构和包络函数。结果表明,应变的引入使晶体产生畸变,改变了晶体结构的对称性,进而改变了材料的能带结构,提供了一种有效的能带...
二维声子晶体板的声波能带结构
二维声子晶体板 超元胞法 带隙
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2012/11/21
采用基于超元胞的平面波展开法研究了二维声子晶体板的声波能带结构，分析了二维声子晶体板的几何参数(板的厚度,圆柱体的半径和高)对声波能带的影响.研究结果表明：该声子晶体具有更优的带隙，带隙的调节机制更为简单，超元胞法是研究这一类声子晶体能带结构的一种有效方法.
采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrSi2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrSi2是具有ΔEg=0.35eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的态密度决定;V替代Cr掺杂后,费米能级进入价带,费米面插在价带的中间,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.25eV;掺杂后费米面附近的电子能...
化学键对闪锌矿型晶体能带结构的影响
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2007/12/13
本文在Slater与Koster的简化原子轨道线性组合方法的基础上,引入了化学键的参量。将布里渊区的某些特殊点的能级表示为这些参量的函数。讨论了禁带宽度与导带最小点之位置随化学组成的变化而变化的情况。得到的结果与已有事实定性符合。
用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)
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2007/12/12
用赝势微扰法计算了GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金的能带。赝势选择的原则是使计算所得直接能隙和间接能隙与实验值相符合。计算结果表明,不但能带次序准确,而且与室温下的实验值符合得很好。基于由GaAs到GaP晶格常数和赝势是线性变化的假设,计算了GaP含量为20％,50％和80％时Ga[As1-xPx]合金的能带。当GaP含量为41％时,直接能隙和间接能隙相等,这一数值刚好是Spitzer...