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澳开发出纳米级超快忆阻器
纳米级超快忆阻器 阻器 澳大利亚 功能材料
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2014/10/8
澳大利亚墨尔本皇家理工大学的科学家用非晶钙钛矿氧化物开发出一种纳米级超快忆阻器。研究人员称,这种新型忆阻器为高度稳定可靠的纳米级存储设备的发展提供了一个新的平台,今后有望成为制造人工大脑的关键部件。相关论文将作为封面文章发表在2014年11月11日出版的《先进功能材料》杂志上。
纳米级活性氧化物的制备与纳米结构阳极的开发(图)
纳米级 活性氧化物 纳米结构阳极
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2009/2/2
采用常规技术制造的活性氧化物涂层有难以避免的缺陷:晶粒尺度不均;相结构不佳和;成分分布不均。本研究试图探索开发高性能的电极材料。电极材料是电化学装置的核心,这一研究具有理论意义和应用价值。