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中国科学院微电子研究所专利：氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
中国科学院微电子研究所 专利 氧化硅 氮化硅 双层复合侧墙 刻蚀方法
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2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种低频BOSCH深硅刻蚀方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 低频 BOSCH 深硅刻蚀
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2023/6/14
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种低频BOSCH深硅刻蚀方法
专利名称：一种增大泡沫镍电极电化学活性面积的刻蚀方法。