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搜索结果:
1-1
共查到
“
开关二极管
”
相关记录1条 . 查询时间(0.087 秒)
延迟击穿半导体
开关二极管
最佳参数确定
开关二极管
延迟击穿
脉冲锐化
脉冲功率器件
<
2008/4/24
分析了延迟击穿
二极管
(DBD,delayed breakdown diode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明: 上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应...
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