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低能正电子致厚靶特征X射线产额的初步实验研究
正电子 特征X射线产额 厚靶 PENELOPE模拟
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2022/3/31
通过10~30keV的正电子轰击纯厚Ti（Z=22）靶，采用超薄灵敏层的Si-PIN探测器收集其产生的X射线，通过HPGe探测器收集正电子在靶中湮没产生的511keV的γ光子计数来计算正电子束流强度，对正电子碰撞厚Ti靶的K壳层特征X射线产额进行了初步测量，并将所得实验数据与基于DWBA（Distorted-WaveBornApproximation）理论的MonteCarlo程序PENELOPE...
考虑金属厚靶侧面自由边界的影响，研究了刚性尖头弹侵彻有限平面尺寸金属厚靶问题。基于有限柱形空腔膨胀理论和线性硬化材料模型，得到了空腔壁径向压力的解析式，建立了刚性尖头弹侵彻有限直径圆柱形金属厚靶工程模型。与试验和数值模拟比较表明，该文工程模型计算精度很好。基于所建立的工程模型，研究了靶板半径对侵彻深度和侵彻阻力的影响，结果表明：当靶板与弹丸半径比值小于20时，靶板半径对侵彻阻力和侵彻深度有显著影响...
研究了在异丙醇硝酸体系中单次分子镀流程制备Sm和Eu厚靶的实验条件。 确定了在20 μm铍箔上进行Sm和Eu分子镀实验的最佳工艺条件为: 两极间距3 cm， 电流密度3.8 mA/cm2， 分子镀过程持续1 h。 用分光光度法测定了分子镀的沉积效率均高于95%， 所制备Sm和Eu靶膜的厚度分别在1.6和1.5 mg/cm2。
X光机正朝高能强流方向发展.这些装置中普遍采用mm厚度的重金属厚靶,其辐射特性和各种参数间的规律受到关注.本文采用基于蒙特卡罗法的EGS4程序比较全面的研究了高能X光机中所关心的靶厚度的选择、轫致辐射场的角分布和X射线能谱的规律.同时还专门就X光强度和束流发射度、打靶焦斑尺寸三者的依赖关系进行分析,结论表明针对现有的X光机参数,不用担心因追求小焦斑而带来X光照射量的损失。文中还分析了强束流条件下单...
无标样厚靶PIXE分析中数值方法的应用
无标样 厚靶PIXE分析 数值方法
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2009/7/27
本文用数值方法对厚靶PIXE分析中所测得的特征K-X射线强度进行修正.修正包括入射质子在靶中的慢化,特征X射线在厚样中的吸收以及基体元素的特征X射线引发的待测元素X射线的增强等.同时,为了进行元标样分析,同蒙特卡罗方法对整个分析系统作了效率刻度.在此基础上,对一些自制的标准厚样进行了PIXE实验分析,分析结果与已知值有较好的符合.
弹性共振散射反应的厚靶实验设计
次级束 弹性共振散射反应 厚靶实验方法 双面硅微条探测器
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2009/7/3
为了开展次级束引起的弹性共振散射反应的厚靶实验, 在北京HI-13串列加速器的次级放射性核束装置上建立了一套包含飞行时间和大面积双面硅微条探测器的探测系统, 并用57.0MeV 17F次级束轰击7.66mg/cm2的(CH2)n靶对17F+p弹性共振散射反应进行了试测量.
用阈探测器中子活化法测量了50MeV/u 18O离子轰击Be.Cu和Au厚靶的总中子产额和前向中子发射率. 实验结果表明,中子产额对靶核原子序数有一定的依赖性,较轻靶子的中子产额和中子发射率高于较重的靶子;当靶核(Cu)和入射离子单核能(50MeV)相同时,18O离子的中子产额约为12C离子的4倍.
采用在束气相热色谱的Hg元素分离方法和特殊的探测技术,测量了600MeV 18O束轰击厚天然铅靶生成的180Hg至209Hg计20余种放射性Hg同位素产物的独立截面,描写了实验装置、探测技术、γ谱分析以及从递次衰变子体的γ活性来提取Hg同位素生成截面的方法.
600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析
同位素分布 独立截面 反应机制
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2009/6/4
报道了600MeV 18O轰击natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.
产生放射性核束的厚靶的物理设计
放射性核束 厚靶 散热结构
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2009/1/5
介绍用来产生放射性核束的厚靶的物理设计过程，提出对靶材料特性和温度条件的严格要求，列举了几种候选靶材，设计了１个石墨靶衬并合理安排靶的水冷散热结构，计算了厚靶的三维温度分布情况。计算结果表明：此厚靶完全能够承受最高达１４ｋＷ的质子束入射束流功率，靶的温度可以根据不同要求控制在１３００—２０００℃。
厚靶T(d,n)4He反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布
加速器 厚靶T
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2008/12/3
本文给出一种氚钛厚靶氘氚反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布的计算方法，并开发了相应的计算模拟程序。用自行开发的计算程序计算了入射氘束流能量低于1.0MeV时加速器中子源的中子产额、能谱和角分布，给出了氚钛厚靶的一些典型计算结果，并对结果的可靠性进行分析。
加速器驱动次临界系统的中高能质子轰击厚靶中子学实验研究
加速器驱动次临界系统
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2008/11/4
利用俄罗斯杜布纳联合核子研究所的高能加速器进行加速器驱动次临界系统 (ADS)靶区中子学研究。用 0 .5 33、1 .0、3.7和 7 4GeV质子轰击U(Pb)、Pb和Hg靶的测量结果表明 :U(Pb)和Pb与Hg靶的中子产额比分别为 ( 2 0 1± 0 1 0 )和 ( 1 76± 0 33) ,从获得较强中子的角度看 ,Hg作为ADS靶是不利的 ;沿厚 2 0cm靶的中子产额随...
为了能清楚地了解攻角对伸出式侵彻体侵彻靶板能力的影响，采用LSDYNA3D动力有限元软件对有攻角条件下伸出式侵彻体侵彻靶板进行了数值模拟研究。从靶后动能的角度和同质量同外径的基准杆的侵彻能力做了比较，得出了侵彻体动能随时间的变化规律，分析了攻角和速度对侵彻体侵彻能力的影响。结果表明，在攻角小或速度大时，伸出式侵彻体相对基准杆有较大的穿深增益，而且这种穿深增益随着侵彻速度的增加或攻角的减小而逐渐增...