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硅漂移探测器时间分辨优化仿真研究硅漂移探测器时间分辨漂移时间梯形成形三角成形脉冲幅度比 < 2022/3/28

硅漂移探测器（SiliconDriftDetector，SDD）中电荷包的漂移时间（μs·cm-1）与粒子入射位置到读出电极距离有关，而且通常不能直接测量，其不确定性是影响探测器时间分辨的主要原因。漂移时间和电荷灵敏放大器（ChargeSensitiveAmplifier，CSA）输出信号上升时间之间有明显的对应关系，利用三角成形和梯形成形信号的脉冲幅度比可测量上升时间，从而得到漂移时间。对脉冲幅...