搜索结果: 1-15 共查到“材料科学 光学性质”相关记录17条 . 查询时间(0.122 秒)
采用均匀沉淀法, 在无任何催化剂的条件下, 两步合成片状ZnO晶体。105 ℃干燥得到ZnO晶体前驱物, 400 ℃煅烧得到纯ZnO晶体。通过XRD、SEM、TEM、UV-vis 和PL光谱等测试手段对ZnO晶体在两个不同热处理温度下的结构和光学性质进行表征。结果显示:ZnO晶体为六方纤锌矿结构,(0001)面形貌为规则的片状正六边形。 热处理温度由105 ℃升至400 ℃, 样品直径增加,透射率...
利用溶胶凝胶法在Si (100) 和LNO/Si (100) 衬底上成功制备了Zn Mn共掺钛酸钡薄膜.为了更充分地研究掺杂量对薄膜的晶体微结构和铁电性的影响，利用同样的方法分别制备了不同掺杂量的掺Zn和掺Mn钛酸钡薄膜.X射线衍射和原子力显微镜测量的结果表明薄膜均匀致密，且平均晶粒尺寸在30 nm以内.通过比较400~700 nm范围内各钛酸钡薄膜的折射率和消光系数，可以得到，其禁带宽度随着掺Z...
利用基于密度泛函第一性原理的GGA方法，研究ZnRh2O4的电子结构和光学性质。计算结果表明：ZnRh2O4具有明显的半导体能带结构特征，其带隙宽度为1.084 eV，且在费米能级附近的态主要由Rh的4d态构成。ZnRh2O4的静态介电常数为8.215，静态折射率为2.866，介电函数吸收边位于1.0 eV附近。在能量为0~8.44 eV区域，ZnRh2O4的反射系数随着能量的升高而逐渐增大；随后...
InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究
太阳能电池 辐照损伤 光致发光
<
2009/10/21
研究表明,In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0.7eV改变到3.4eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用...
梯度界面层对复合材料有效光学性质的影响
界面效应 梯度界面层 复合材料
<
2009/8/21
研究了球形颗粒被无规地浸没在基质中，具有梯度分界面和光滑分界面的球形颗粒复合物界面层对介电响应和光学性质的影响;利用第一原理近似，计算了在稀释极限下具有梯度分布界面层复合物的有效介电常数，讨论了其实部和吸收光谱随外加场频率的变化关系。对结果进行比较，发现梯度分布的界面层使复合材料在等离子体共振频率处的有效介电常数的涨落明显减小，吸收谱线明显宽化并伴有“蓝移”现象，梯度界面层能很好地控制等离子体共振...
铀及其氧化物光学性质的研究及应用
铀 铀废料 EUV技术
<
2009/6/10
介绍了目前所测得的铀及其表面氧化物的光学常数(包括折射率n、消光系数k以及反射率R)，并与EUV领域中常用的3种膜材料（Au、Ni、Ir）的反射率进行了比较。研究了其在极紫外（EUV）技术、软X射线技术以及半导体技术中的应用，提出了一条行之有效的处理铀废料的新途径。
CdS量子点的制备和光学性质
无机非金属材料 硫化镉 量子点
<
2009/6/4
以醋酸镉、硫粉为原料制备CdS量子点, 研究了硫的加入量对其光学性质的影响. 结果表明: 合成的CdS量子点粒径均匀, 分散性较好, 随着硫加入量的增加CdS量子点的粒径增大; 反应中过量的硫能有效地填补硫空位, 从而抑制表面态发光. 同时, ODA的修饰也能有效地钝化表面态, 减小表面态的发光强度.
GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质
无机非金属材料 半导体材料 缺陷
<
2009/6/4
研究了用MOCVD设备在高温和低V/III条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑, 并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错. GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
Al2O3和Cr过渡层对Ag膜光学性质及其附着力的影响
Ag膜 Al2O3过渡层 Cr过渡层
<
2008/12/9
研究了在玻璃基底上镀制Al2O3和Cr过渡层对Ag膜反射率及附着力的影响.
分光光度计测试了Ag膜的反射率, 结果表明, 与Cr过渡层相比,
Al2O3过渡层对Ag膜反射率
的降低相对较小; 而且, 随着Al2O3厚度的增加, Ag膜的反射率先增大后
减小. XRD与AES测试表明, 引入Al2O3或Cr可明显细化Ag晶粒, 减弱Ag膜
(111)织构; Al2O3作过渡层时, Al原子...
退火对立方相 MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质影响
<
2007/12/13
摘要 在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响. 结果表明: 对Mg0.53Zn0.47O薄膜, 在900℃的退火温度下, (0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边的出现均表明有六方结构从其立方结构中分离出来；但对于Mg含量高于55%的样品, 即使经历了1000℃的高温退火, 也不会...
Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响
<
2007/12/13
摘要 利用脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出了$c$轴高度取向的ZnO和Zn0.9Mn0.1O薄膜. 光致发光结果显示了Mn的掺杂引起了薄膜的带边发射蓝移, 强度减弱, 紫光发射几乎消失, 但绿光发射增强. 利用X射线衍射, X射线吸收精细结构和X射线光电子能谱等实验技术对Mn掺杂的ZnO薄膜的结构及其对光学性质影响进行了研究. 结果表明: Mn掺入到ZnO薄膜中形成了Zn0.9Mn0.1O合金...
薄膜厚度对透明 PLT厚膜的介电及光学性质的影响
<
2007/12/12
摘要 用溶胶-凝胶法在镀有氧化铟锡透明导电电极的玻璃基片上沉积钛酸镧铅薄膜, 在相对较低温度580℃退火, 得到了纯钙钛矿结构的透明PLT薄膜, 薄膜厚度从580～1830nm. 随着薄膜厚度的增加, PLT薄膜的晶粒变大、介电常数增大, 而矫顽场减小. 所有样品的透射率都在70%以上, 最大达到90%左右. 当薄膜厚度增加后, 透射率降低, 并且截止波长向长波方向移动. 在633nm处, 183...
凝胶基质对有机染料光学性质的影响
溶胶-凝胶 有机改性硅酸盐
<
2007/10/26
文章摘要：
用溶胶-凝胶工艺, 将有机染料DQTCI’引入到以正硅酸乙酯(TEOS)和有机改性硅酸KH560-KH550凝胶体系基质中, 通过对孔结构、吸收光谱以及荧光光谱的分析, 发现基质对有机染料的发光性能有较大的影响.
离子型声子晶体中的长波光学性质
离子型声子晶体 介电体超晶格 耦合效应
<
2007/10/26
文章摘要：
提出了离子型声子晶体的概念, 制备出一维离子型声子晶体材料,研究了一维离子型声子晶体中的超晶格振动与电磁波的耦合效应,将黄昆方程所预言的一系列长波光学行为, 如:极化激元、红外吸收、介电异常等, 从红外波段推广到微波波段,并得到了实验验证, 预测了这种材料在微波与声学方面可能的应用.
InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究
材料科学基础学科 InAs自组织量子点(线
<
2007/10/26
文章摘要：
在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料，通过衬底的旋转与否及混合生长模式，得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点（线）；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连...