搜索结果: 1-14 共查到“工学 共沉积”相关记录14条 . 查询时间(0.185 秒)
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种制备金属钯合金膜的化学共沉积方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 金属钯 合金膜 化学共沉积
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2024/1/26
一种制备钯合金膜的化学共沉积方法，是在化学镀金属钯的过程中将掺杂金属的络合物溶液添加到金属钯的镀液中，而不是在化学镀之前混合。本发明通过控制共沉积镀液中易于被优先还原的金属离子的浓度，从而实现钯和掺入金属同时且均匀地沉积的制备钯合金膜。利用本方法能够一次制备出致密且具有精确目标组成的钯合金膜，有效降低合金膜制备的劳动强度，显著地提高了钯银合金膜制备的成功率和重复率；该方法所得钯合金膜能够成数量级地...
中国科学院金属研究所专利：一种共沉积梯度MCrAlY涂层及制备工艺
中国科学院金属研究所 专利 共沉积梯度 MCrAlY涂层
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2023/12/26
本发明主要涉及涂层技术,具体地说是一种用于高温合金防护的梯度 MCrAlY涂层及制备方法；本发明通过电弧离子镀(AIP,即Arc Ion Plating)共 沉积加真空扩散退火的方法,制备Al元素浓度沿深度方向呈梯度分布的MCrAlY 涂层。与现有的常规MCrAlY高温防护涂层相比,本发明所涉及的这种梯度 MCrAlY涂层有效地提高了涂层中Al存储相含量,从而可以提高涂层抗高温氧 化、抗热腐蚀性能...
中国科学院金属研究所专利：一种共沉积梯度MCrAlY涂层的制备工艺
中国科学院金属研究所 专利 共沉积 梯度 MCrAlY涂层
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2023/11/10
中国科学院金属研究所专利：一种共沉积梯度MCrAlY涂层的制备工艺
中国科学院宁波材料技术与工程研究所用共沉积方法获得图案化疏水性可调Ni-P薄膜（图）
沉积方法 图案化 疏水性 可调Ni-P薄膜
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2013/3/27
液体在固体表面的润湿行为是表面化学研究领域中的一个重要课题。对于固体表面，如果水在其上的接触角（CA）大于150°，那么该表面具有超疏水性能；如果水在其上的接触角（CA）接近0°，那么该表面具有超亲水性质。超疏水表面在实际生活中具有很多方面的用途，如超疏水低粘附表面，水滴的滚落可以将表面的尘埃等污物带走，这种表面便具有自清洁性能。同时，由于水滴在超疏水表面上不能够浸润，降低了表面与水滴的接触面积，...
喷雾共沉积石墨增强锌基复合材料的低频内耗
喷雾共沉积 锌基合金 复合材料 低频内耗
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2012/5/3
在ＺＡ２７合金中添加５０ｍｇ．ｇ－１Ｓｉ并采用喷雾共沉积技术制备了石墨颗粒体积分数分别为５％，１０％，１５％的锌基复合材料。采用多功能内耗仪对材料的低频内耗（１Ｈｚ，４Ｈｚ）行为进行了测量。结果发现，复合材料的内耗值大小与温度显著相关，较低温度时复合材料的内耗值低于喷雾沉积材料；随着温度的上升，４０℃以后高于喷雾沉积材料；同时随石墨颗粒体积分数的增加，复合材料的内耗值逐步提高且不同频率条件下内耗相...
利用喷射共沉积−热挤压−轧制工艺制备SiCp/2024复合材料板材。研究该复合材料轧板热处理后的显微组织及力学性能，并确定其最佳的热处理工艺条件。结果表明：轧制态复合材料组织细小均匀，晶粒尺寸为3~4 μm，SiC颗粒均匀分布在基体合金中；采用490 ℃、1 h固溶处理和170 ℃、8 h时效后，SiCp/2024复合材料轧板的抗拉强度、屈服强度和伸长率分别为480 MPa...
基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件
有机电子学 双稳态开关 交叉存储器
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2008/10/10
采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜，并进行了红外、紫外光谱表征. 利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件. 研究发现，Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性. 将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8~5V，将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5~-4.4V，与通常的CuTCNQ器件相比较小. 这种基于AgTCNQ交叉结构的有...
ZFS共沉积促进剂在复合电沉积过程中的作用机理
复合电沉积 ZFS促进剂 机理 吸附
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2010/3/16
将阳离子型ZFS促进剂与SiO2微粒加入Zn-Fe合金镀液中，制备了Zn-Fe-SiO2复合镀层，研究了ZFS共沉积促进剂对镀层中SiO2微粒沉积量的影响，并分析了促进剂的作用机理。结果表明：ZFS共沉积促进剂可以明显提高SiO2微粒在镀层中的沉积量，并且无需对SiO2微粒进行镀前特殊处理。其原因是该促进剂吸附在SiO2微粒表面，使微粒表面呈正电性，在电场引力的作用下，SiO2微粒容易吸附在阴极表...
锌锰异常共沉积研究
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2007/12/25
研究发现锌锰合金电沉积时,在一定条件下也存在异常共沉积现象.首次采用分电流法,在阴极电流密度超过一定值之后锌的分电流随阴极电流密度的增大而下降,同时锰的分电流却在增加,当锰的分电流与锌的分电流之比超过一定值时就出现了异常共沉积.同时还研究了溶液中锌、锰离子的浓度比对锌锰合金电沉积由正常到异常的转变规律.
Cl~-对Zn-Co(Fe)合金共沉积中Zn转移电流密度的影响
锌合金 钴合金 电流密度 沉积
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2007/12/19
摘要 在氯化物电解液中的Zn-Co, Zn-Fe合金共沉积，存在着由正常共沉积转变成异 常共沉积的Zn的转移电流密度，该值随着Cl~-浓度的增加而增加，当Cl~-浓度高达 4 mol·dm~(-3)以上时，Zn-Fe合金共沉积中已不存在Zn的转移电流密度，为单一 正常共沉积。这是因为Cl~-降低了Co，特别是Fe的析出过电位之故。
用电共沉积方法制备InGaAs薄膜
InGaAs薄膜 电共沉积
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2007/10/26
文章摘要：
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜, 用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率. 结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构, 晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀, 其V-I特性是线性的, 随着Ga含量的减少, 发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3~1.5μm.
喷射共沉积SiCp增强6061Al MMC的阻尼特性及位错阻尼机制
位错 阻尼机制 MMC 喷射沉积
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2010/3/23
采用喷射共沉积方法制备了6061Al/SiCp MMC， 并对其阻尼机制进行了研究。 发现在试验测量范围内Q-1对f 和t 敏感， 对Am没有依从性， m 随t 变化只表现为线性下降， 无明显软化现象， 且6061Al/SiCp MMC的阻尼能力比6061Al至少高一个数量级。6061Al/SiCp MMC在试验测量温度范围内， 位错阻尼起主要作用。 在低应变条件下， 随温度的升高， 由于热激活作...
喷雾共沉积石墨增强锌基复合材料的低频内耗
喷雾共沉积 锌基合金 复合材料 低频内耗
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2013/7/2
在ＺＡ２７合金中添加５０ｍｇ．ｇ－１Ｓｉ并采用喷雾共沉积技术制备了石墨颗粒体积分数分别为５％，１０％，１５％的锌基复合材料。采用多功能内耗仪对材料的低频内耗（１Ｈｚ，４Ｈｚ）行为进行了测量。结果发现，复合材料的内耗值大小与温度显著相关，较低温度时复合材料的内耗值低于喷雾沉积材料；随着温度的上升，４０℃以后高于喷雾沉积材料；同时随石墨颗粒体积分数的增加，复合材料的内耗值逐步提高且不同频率条件下内耗相...