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在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba0.32Co4Sb12-xTex(0.1≤ x≤0.9), 测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明: Ba填充Te置换型方钴矿Ba0.32Co4Sb12-xTex为n型半导体; 在不同压力下, 随着Te填充分数的增加, Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势, 功率因子显著提高。在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba0.32Co4Sb11....
高压合成纳米晶Bi0.85Sb0.15的低温热电性
高压合成 纳米晶Bi0.85Sb0.15 低温热电性
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2009/2/19
通过机械合金化法获得Bi0.85Sb0.15纳米晶粉末材料,在常温下冷压成型并分别在不同温度下进行高压处理,制备出块状样品.X-ray衍射实验证实已形成了Bi0.85Sb0.15单相合金.测量了样品在80～300 K温区的Seebeck系数和电导率,计算出材料的功率因子与温度的关系.在523 K 6 GPa下压制30 min的样品,其Seebeck系数在150 K达到-173μV/K,比同温度下单...
稀土发光材料酸锶掺铕铋的高压合成及性能研究
高压合成 稀土发光材料 酸锶掺铕铋
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2008/11/6
该项目主要进行稀土发光材料的高温高压上、制备及其发光性能的基础实验与研究工作。其技术原理是采用溶胶-凝胶和高温高压方法预处理材料，适当控制合成条件，使材料的晶体场处于特殊状态，使得激发能量的绝大部分能高效地传递到激活剂一起发光。该成果水平属国内先进。稀土元素由于其特有的电子壳层结构，使得稀土离子激活的发光材料具有丰富多彩的发光特性和其它传统发光材料所不具备的特殊性能，从而在激光材料、阴极射线发光、...