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高纯金属镓的制备方法     超高纯  金属镓  制备方法       < 2011/12/9
本发明提供一种超高纯金属镓的制备方法,其包括低温电解提纯和区域熔炼提纯两个过程,电解在0~15℃的低温下进行,通直流电,电流密度在0.2~0.05A/cm
本发明属于液相外延制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电子材料领域,涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加入浮游剂去除废镓中的铝杂质;利用高温高真空去除废镓中的Zn、As、Te等蒸气压高的杂质。用本发明回收高纯金属镓的杂质含量小于3μg/g,用其生产的外延片的基本参数与采用日本进口高纯镓一致。对液相外延后的废液回收和再利用大幅度降低LED成本,是保证GaAlAs LED实现国产化...
镓提炼与回收技术、超高纯金属镓生产工艺及提取。

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