搜索结果: 1-15 共查到“核科学技术其他学科 辐照”相关记录17条 . 查询时间(0.237 秒)
钨（W）具有高熔点、高热导率和优异的抗辐照能力等优点，是未来聚变堆面向等离子体部件的重要候选材料。然而中子辐照后的纯W中会产生空洞超点阵，严重影响其服役性能。本文改进了辐照条件下纯W中空洞超点阵形成过程的相场模型，采用更合理的体系总自由能函数表达形式，且考虑了空间与时间上随机分布的辐照点缺陷的产生。模拟结果表明：辐照过程中，间隙原子的定向扩散及其与空位的相互作用是空洞超点阵形成的主要原因；间隙原子...
中子辐照下初级离位原子模拟研究
中子辐照 初级离位原子 散射矩阵 蒙特卡罗
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2021/1/11
材料在核反应堆中子辐照条件下的初级离位原子信息是多尺度材料计算模拟的输入条件。本文对中子辐照下初级离位原子的两种计算方法——散射矩阵转换法和蒙特卡罗两体碰撞法进行了研究，在压水堆中子能谱条件下，对锆、铁、钨、碳化硅等材料的初级离位原子进行了模拟，得到了初级离位原子的能量分布。结果表明，两种计算方法的结果一致。同时，蒙特卡罗两体碰撞法还可考虑如靶核热运动、化学键效应。本研究为后续金属材料的分子动力学...
CITP-II在线产氚辐照回路设计
CITP-II 增殖剂 产氚 辐照回路
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2014/4/8
在线产氚辐照回路是根据聚变能源研究的需要,在热中子堆上设计的增殖剂材料辐照产氚及释氚回路,可进行增殖剂材料的辐照评价、氚的载带及循环参数研究等工作.本文介绍了CITP-II在线产氚辐照回路的主要工艺系统和核心装置.辐照舱实现了增殖剂材料的堆内安全辐照;载气系统完成了增殖剂材料的在线换料和释放氚的载带;间气及净化系统可进行增殖剂辐照温度和释氚温度窗口的调节及控制;理论计算数据和确定的回路运行参数,可...
全国检疫辐照处理应用技术培训班成功举办（图）
全国检疫辐照处理应用技术培训班 成功 举办
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2013/3/4
为推动和促进辐照技术在检疫处理中的应用，经报国家质检总局同意，中国核学会核农学分会联合中国检验检疫科学院装备技术研究所，在广东出入境检验检疫局及国际原子能机构（IAEA）的合作与支持下，于2012年2月13-17日在广州市华泰宾馆成功举办了首个全国“辐照技术在检疫处理中应用培训班”。广东出入境检验检疫局黄伟民副局长、中国检科学院装备技术研究所王跃进副所长出席了开幕式。
国际聚变材料辐照装置屏蔽中子学设计研究
国际聚变材料辐照装置 聚变材料 屏蔽
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2009/11/27
介绍了中国科学院等离子体物理研究所与德国Forschungszentrum Karlsruhe合作开展的国际聚变材料辐照装置（IFMIF）屏蔽中子学方面的相关设计研究工作。重点介绍了新开发的三维耦合屏最计算方法，包括其基本原理和程序系统等，以及基于该方法的IFMIF的三维屏蔽计算典型结果与分析。
γ射线辐照预处理对麦秸纤维素酶水解产糖的影响
γ射线辐照 麦秸
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2009/8/25
文章涉及γ射线辐射预处理麦秸的辐照效应及辐照后效应研究。实验结果表明，辐照预处理能明显破坏麦秸的结构。随辐照剂量增加，麦秸质量损失增大，粒度分布向细颗粒方向迁移。辐照与粉碎结合预处理有明显的协同效应，较适宜的预处理条件为500kGy、粒度为0.109mm，葡萄糖得率为10.2％。辐照后效应对麦秸酶解产糖有明显的影响，以50、100、200、300和400kGy辐照的麦秸酶解，其辐照后效应与初始效...
C276合金质子辐照损伤模拟及活化分析
C276 TRIM程序 活化
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2009/7/10
C276合金是先进核电站燃料元件包壳的候选材料之一。本工作采用TRIM程序分别计算10和20MeV质子辐照C276所产生的辐照损伤，比较分析能损、离位原子、DPA等参数分布。同时使用FISPACT-2007程序进行活化计算，对放射性活度、衰变余热及接触剂量率等参数进行了详细分析。结果表明：辐照损伤主要来自电子能损的贡献，高能质子与靶原子发生碰撞的几率较低。C276经同种能量质子辐照后，活化特性随...
核级石墨辐照变形对辐照应力和寿命的影响
核级石墨 辐照变形 蠕变
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2009/5/19
石墨是高温气冷堆的堆芯关键结构材料，其机械性能，尤其是辐照后特性，对反应堆的运行安全至关重要。不同牌号的石墨在制备工艺上有较大差异，导致内部微观结构的不同，从而影响石墨的辐照变形。本工作通过对高温气冷堆堆芯侧反射层石墨砖的辐照行为进行数值仿真，分析不同石墨材料的辐照变形对石墨结构的辐照应力和辐照寿命的影响。结果表明，石墨结构的辐照应力和辐照寿命对石墨材料的辐照变形高度敏感。相关结论将为高温气冷堆堆...
电子束辐照对唐菖蒲M1代花粉母细胞的影响
电子束 减数分裂 SDS-PAGE
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2009/2/25
为探讨电子束对花粉母细胞的影响，用不同剂量的3MeV电子束辐照唐菖蒲“超级”球茎，对其M1代的花粉母细胞进行减数分裂观察及SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳（SDS-PAGE）分析。结果表明：唐菖蒲减数分裂时出现遗传损伤，产生的染色体畸变类型包括滞后染色体、染色体桥、游离染色体、染色体不均等分离和微核等；在四分孢子期，则有较多三分孢子和多分孢子形成；小孢子的形状和大小有差异，主要表现为小孢子的体积变小。花...
CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定
等时退火 等温退火 激发能
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2009/1/19
对CNMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行讨论，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100oC等温和25～250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围分别在0.65～0.76eV和0.75～0.95eV之间；25～250℃等时退火的激发能范围在0.5～1.1eV之间，峰值位于0.8...
Mo-Re合金薄膜的辐照效应研究
Mo-Re合金 Re效应 辐照损伤 溅射深度
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2009/1/19
使用离子注入技术，将200keV氙离子注入到Mo-Re合金薄膜中，实现对薄膜的表面选区辐照改性。该薄膜的合金成分用X射线荧光光谱（XRF）测出。利用白光干涉表面形貌仪，测量了辐照区的溅射刻蚀深度和表面粗糙度，评价了合金成分对薄膜辐照行为的影响。结果表明：适量Re的加入能够显著提高合金薄膜的抗溅射能力。
电子束辐照聚二甲基硅烷的结构分析
聚二甲基硅烷 电子束 辐照 结构分析
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2009/1/19
在室温、真空条件下，利用加速器产生的高能电子束辐照聚二甲基硅烷（PDMS）试样，研究吸收剂量对其结构的影响。通过气相色谱质谱联用分析可知，辐照过程中产生了少量H2和CH4，且H2的产率高于CH4。FT-IR、激光拉曼光谱以及XRD分析结果表明，经超高剂量（MGy级）辐照后，聚二甲基硅烷的化学结构未发生明显变化，其晶态结构也未遭破坏。这些结果说明，PDMS具有异乎寻常的耐辐射性能，这可能归因于其主...
多层介质/金属紫外滤光膜系的辐照损伤特性
滤光膜 辐照损伤
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2009/1/19
利用电子束蒸发方法制备用于BaF2晶体慢成分滤光的多层介质/金属紫外滤光膜系。在γ射线、中子和激光辐照环境中研究薄膜的损伤特性。结果表明：薄膜对γ射线和中子具有优良的耐辐照特性；在激光辐照环境中，薄膜的激光损伤阈值受多层薄膜中金属层的影响，激光入射时，最先辐照到的金属层的厚度决定了多层薄膜的耐激光辐照损伤特性。
用Hf指数量度30％TBP-煤油-HNO_3体系的辐照降解
TBP-煤油-HNO_3体系 Hf指数
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2009/1/9
前言 核燃料后处理工艺过程中溶剂TBP-煤油受到射线作用,发生辐射降解,辐解产物对主要产品U、Pu的收率及过程的再循环带来不利影响。溶剂降解问题,一直有不少人在进行研究,由于降解产物对裂片元素Zr、Nb、Ru等有强烈的络合作用,所以通常研究