搜索结果: 1-7 共查到“二极管性能”相关记录7条 . 查询时间(0.089 秒)
中国科学院宁波材料所开发出“溶剂筛”方法 刷新钙钛矿发光二极管性能纪录（图）
溶剂筛 钙钛材料 纳米光电
<
2024/2/22
2024年2月6日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所先进纳米光电材料与器件团队，研制出性能世界领先的高效稳定钙钛矿发光二极管，从根本上阐明了钙钛矿材料不稳定的根源，解决了自诞生以来困扰钙钛矿发光二极管的运行稳定性问题，为钙钛矿材料在发光显示领域的产业化指明了方向。
宁波材料所开发“溶剂筛”方法，刷新钙钛矿发光二极管性能纪录（图）
溶剂筛 钙钛矿 二极管性能 纳米
<
2024/3/3
2024年2月6日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所先进纳米光电材料与器件团队率先研制出性能世界领先的高效稳定钙钛矿发光二极管（LED），从根本上阐明了钙钛矿材料不稳定的根源，解决了自诞生以来就一直困扰钙钛矿发光二极管的运行稳定性问题，为钙钛矿材料在发光显示领域的产业化指明了方向。相关论文于2月5日发表在国际顶级学术期刊《自然 光子学》（Nature Photonics）上。
顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究
GaN基RCLED 高反膜结构DBR 滤波器结构DBR 单纵模发光
<
2022/3/11
本文在GaN基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR，对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异，详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理。研究结果表明，顶部反射镜是RCLED的重要组成部分，其反射率曲线特征决定器件的光输出性能。常规高反膜结构...
小灵敏面X光二极管性能研究
X 光二极管 储能电容 灵敏面 时间分辨
<
2016/8/26
X 光二极管(XRD)小型化有助于优化软X 光能谱仪,也可实现与其他X 光诊断设备的集成应用。完成了小灵敏面X 光二极管机构设计,储能电容更合理,体积更小。开展了微波仿真与模拟计算,在0耀20 GHz 的带宽范围内其反射很小,微波传输特性满足实验要求。另外,在短脉冲激光装置上开展了探测器性能研究实验。结果表明探测器时间分辨能力提升20%左右。小灵敏面X 光二极管研究有助于探测器在辐射流监测的方面获...
PVK空穴传输层对Ndq3近红外发光二极管性能的影响
近红外发光二极管 空穴注入层 空穴传输层 8-羟基喹啉钕
<
2013/9/28
以PEDOT:PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/8-羟基 喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT:PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、 4F3/2→4I11/2和 4F3/...
60Co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究
发光二极管 界面态浓度 散射几率 电离辐照损伤
<
2010/9/27
随着航天技术的发展，低计量率电离辐照对电子器件的影响得到广泛关注。本文引入散射理论建立了发光二极管模型，并考虑低计量率电离辐照损伤影响，建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型。在输入电流宽范围变化的条件下，测量了器件在不同辐照条件下的电学特性，实验结果与理论模型符合良好。通过对测量结果和以上模型的分析，深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系。证实由于复合中心上的电子浓度增加，导致...
旋流腔结构对涡流二极管性能及流动影响的数值模拟
涡流二极管 旋流腔结构
<
2009/7/24
为了探讨旋流腔结构对涡流二极管正向流动和反向流动的影响，分别采用RNG κ-ε湍流模型和κ-ε湍流模型进行了数值模拟，模拟结果与实验数据吻合良好。在此基础上，计算分析了旋流腔结构型式及几何尺寸对正向流动和反向流动的影响，并得到了旋流腔的优化结构。结果表明：渐缩型旋流腔反向阻力系数最大;薄板型正向阻力系数最小;渐缩型综合性能最佳，可以在原型基础上提高30%。渐缩型旋流腔中心高度应根据等流速设...