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中国科学院金属研究所专利：多孔导电MAX相陶瓷及其制备方法和用途
中国科学院金属研究所 专利 多孔导电 MAX相陶瓷
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2023/11/16
本发明涉及多孔导电陶瓷,具体为一种具有贯通孔结构的多孔导电MAX相(Ti3SiC2、Ti3AlC2或Ti2AlC)陶瓷及其制备方法和用途。多孔陶瓷孔隙率在20-65％之间可调,且该类陶瓷具有贯通的孔结构,开口气孔率在85％以上。制备方法：以MAX相陶瓷粉为原料,成型后,在气氛炉内无压烧结得到多孔陶瓷,烧结温度1200-1400℃,烧结时间0.5-3小时。无压烧结法制备的具有贯通孔结构的MAX相导电...