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美国布鲁克海文国家实验室科研团队运用软X射线非弹性散射光束线,研究分析了层状镍酸盐超导体与铜酸盐超导体的电子特性,揭示了镍基超导材料与铜基超导材料的相似之处和关键区别。该研究结果发表在《物理评论X》(Physical Review X)上。
据最新一期《物理评论快报》报道,德国拜罗伊特大学研究人员主导的一个国际团队首次利用现代高压技术,开发出一种以前未知的二维材料铍氮烯(beryllonitrene)。新材料由规则排列的氮原子和铍原子组成,拥有独特的电子晶格结构,有望在量子技术领域大显身手。
In2Se3是一种常见的A2IIIB3VI型半导体,在不同温度下可表现出不同的物相,对应的晶格参数与物理性质也会有所不同。在过去几十年间,In2Se3的多相性引起了人们的关注,各物相的晶体结构被广泛地研究。近年来,研究发现α-In2Se3具有优异的光电、压电性能以及独特的铁电性能,可以预见它将在未来的半导体电子器件中发挥出重要的作用。本文综述了一系列In2Se3化合物的晶体结构与电子特性,我们首先...
近期,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心与中科院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授研究组及其合作者在kagome晶格新奇物性研究方面取得重要进展,以层状材料Fe3Sn2为平台首次在kagome晶格体系中实验观察到近乎无色散的平带电子结构,并结合理论阐明了其高温铁磁序的机制。相关结果以封面文章的形式近日发表在权威物理期刊《Phys. Rev. Lett.》上,...
期刊信息 篇名 LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究 语种 中文 撰写或编译 作者 陈建新 第一作者单位 刊物名称 半导体学报 页面 1996年第17卷第12期,P886 出版日期 1996年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
用TB LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs(1 0 0 )表面的化学吸附 ,对GaAs(1 0 0 )表面是Ga 和As 中断两种情况分别进行考虑 .计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(1 0 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况 .结果表明 ,两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定 ,S Ga相互作用比S As稍强 ,S钝化GaAs(1 0 0 )表面可以取得...

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