搜索结果: 1-15 共查到“电子物理学 电子结构”相关记录17条 . 查询时间(0.245 秒)
基于过渡金属的笼目晶格（kagome lattice）化合物，是探索几何阻挫、关联效应、磁性及拓扑等丰富物理性质的重要材料体系。Co3Sn2S2是具有笼目晶格的磁性外尔半金属，具有内禀反常霍尔效应、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻等新奇拓扑物性，是当今凝聚态物理中最有趣的研究对象之一。扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱等实验发现，Co3Sn2S2的部分物性与特定解理表面密切相关，如自旋轨...
FeSe超导体超快电子结构相变研究取得进展（图）
FeSe超导体 超快电子结构 相变 量子材料
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2023/2/23
量子材料中的电子向列相（nematic phase），即电子态的旋转对称性破缺但仍然保持着平移对称性，这种奇异的电子态在铜氧化物、铁基等超导体及最近发现的笼目结构超导体中普遍存在。研究电子向列相的产生机制及其与高温超导配对机制之间的关联，是目前超导物理的研究重点之一。
清华大学物理系徐勇、段文晖研究组开发出高效精确的第一性原理电子结构深度学习方法与程序（图）
第一性原理 电子结构 深度学习
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2022/7/19
第一性原理计算已被广泛应用于物理、材料、化学、生物相关的科学研究。然而，受限于计算效率和精度，如何实现大尺度材料体系的第一性原理研究是该领域的一个重大挑战。基于人工神经网络的深度学习方法为解决该挑战问题带来了曙光。近期，深度学习已经成功应用于精确预测原子间相互作用，并加速分子动力学模拟。相比之下，理解、预测材料物性离不开电子结构计算，其深度学习的方法实现更具挑战性，研究进展有限。因此，发展深度学习...
高效精确的第一性原理电子结构深度学习方法与程序（图）
高效精确 第一性原理 电子结构 深度学习方法
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2023/2/23
第一性原理计算已被广泛应用于物理、材料、化学、生物相关的科学研究。然而，受限于计算效率和精度，如何实现大尺度材料体系的第一性原理研究是该领域的一个重大挑战。基于人工神经网络的深度学习方法为解决该挑战问题带来了曙光。近期，深度学习已经成功应用于精确预测原子间相互作用，并加速分子动力学模拟。相比之下，理解、预测材料物性离不开电子结构计算，其深度学习的方法实现更具挑战性，研究进展有限。因此，发展深度学习...
利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法，系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应。计算表明：本征纳米带为金属，但边缘的氢或氧原子端接能使其转变为半导体。应变能有效地调控纳米带带隙的大小，适当的应变使能带结构从间接带隙转变为较小的直接带隙，这有利于光的吸收。应变也能改变纳米带的功函数，压缩应变能明显减小功函数，这有利于纳米带实现场发射功能。特别是应变能有效地调控纳...
铁原子吸附联苯烯单层电子结构的第一性原理
联苯烯单层 吸附 电子结构 第一性原理计算
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2022/3/17
联苯烯单层由碳原子的四元、六元和八元环组成,具有与石墨烯相似的单原子层结构.2021年5月,Science首次报道了该材料的实验合成,引起了科研工作者的极大关注.基于第一性原理的密度泛函方法,研究了铁原子在联苯烯单层的吸附构型并分析了其电子结构.结构优化、吸附能和分子动力学的计算表明,联苯烯单层的四元环空位是铁原子最稳定的吸附位点,吸附能可达1.56eV.电子态密度计算表明铁3d电子与碳的2p电子...
中国科学院宁波工业技术研究院在磁控电子结构领域取得新进展（图）
中国科学院 宁波工业技术研究院 磁控电子结构 新进展
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2018/6/20
施加外磁场可以调控磁性材料的电极化、光偏振、温度、几何形状等宏观物性，即实现磁电、磁光、磁热、磁弹等效应。这些效应是构成磁性功能器件如磁探测仪、磁光克尔仪、磁制冷机等的物理基础。考虑到材料的宏观物性与微观电子结构存在密切关系，最直观的想法是通过磁场直接调控电子能带结构，从而改变材料的电学及光学等特性。在外磁场的作用下，原本简并的电子自旋态会产生塞曼能级劈裂。然而这是一个微小的能量量级，如1特斯拉的...
2008年发现的铁基超导体其超导转变温度最高可达55K，是继1986年发现的铜氧化物高温超导体之后发现的第二类新的高温超导体系。它的发现，为高温超导电性的研究开辟了一个新的方向。与铜氧化物高温超导体的研究类似，铁基超导体研究的核心问题是理解其高温超导电性产生的机理。对材料电子结构的研究是理解材料的宏观物理性质尤其是超导电性的关键。角分辨光电子能谱技术则是探测材料电子结构的最直接和最有力的实验手段。...
常压下Se和Te电子结构和弹性性质的第一性原理计算
第一性原理计算 能带结构 弹性系数 德拜温度
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2012/11/14
利用基于密度泛函的第一性原理, 计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、 电子态密度、 弹性系数和德拜温度. 能带结构和电子态密度的计算结果表明: Se为间接带隙半导体, Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献, 4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少; Te为直接带隙半导体, Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献, 5s2电子对费米面附近的导带和价带贡...
含Hg化合物的相对论赝势从头计算研究——HgX2(X=Cl,Br,I)的电子结构
电子结构 相对论赝势 含Hg化合物
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2009/11/27
本文应用相对论赝势从头计算方法, 在不同基组水平上, 系统地研究了卤化汞(HgX_2, X=Cl,Br,I)系列的电子结构。表明除Hg的6s主要参与成键外, 5dz~2也起了重要的作用。并且随卤素原子序的增加, π成键作用也增强。同时还应用单电子自旋-轨道耦合方法, 研究了旋-轨耦合效应的影响, 指定了该系列化合物的光电子能谱。
In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算
In2O3 光学性质 电子结构 第一性原理
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2009/10/13
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数, 系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系. 利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱, 根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性. 研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%, 可作为优异的透明导电...
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法, 对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算. 计算结果表明, 当晶格常数从96%, 100%, 104%依次进行各向同性形变时, OsSi2的带隙逐渐减小. 当晶格参数被压缩到原来的96%时, OsSi2的间接带隙值Eg=0.928 eV, 当晶格参数被拉伸到原来的104%时,...
利用同步辐射光电子能谱技术研究SrTi1-xRuxO3系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构. 通过测量该系列氧化物的光电子能谱(PES)和X射线吸收谱(XAS),得到了SrRuO3在入射能量53eV时的共振光电子能谱(RPES),SrTi1-xRuxO3中,随着x变化而变化的价带光电子能谱和O 1s的吸收谱.然后参照文献中局部密度近似方法(LDA)模拟计算的能带结构,进行初步的分析和解释.
V12M团簇的电子结构和磁性的第一性原理研究
钒团簇 密度泛涵理论 电子结构 磁性
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2008/11/26
采用密度泛函理论框架下的广义梯度近似(DFT/GGA), 对V13团簇及V12M掺杂团簇(M=Sc, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru)的电子结构和磁性进行研究. 通过对团簇的基态几何构型优化计算得到了团簇束缚能、电子结构以及磁矩的大小, 系统地分析了V13和V12M团簇磁矩的形成机理以及电子结构与磁性的变化关系. 发现掺杂团簇V12Fe和...