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搜索结果: 1-10 共查到材料科学 电子封装材料相关记录10条 . 查询时间(0.092 秒)
近期,应用所先进材料中心田兴友研究员和张献副研究员团队在同步实现导热绝缘及电磁屏蔽性能的先进电子封装材料制备方面取得了新的研究进展,相关成果发表在Composites Part A 117 (2019) 56–64复合材料领域的TOP期刊上。
近日,中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所先进材料中心研发团队,在先进电子封装材料研究方面取得系列进展,相关成果发表在Composites Part A: Applied Science and Manufacturing、Material Research Express、Composites Part A: Applied Science and Manufacturing、Compos...
近期,应用所先进材料中心研发团队在先进电子封装材料研究方面取得系列进展,相关成果发表在Composites Part A: Applied Science and Manufacturing 2016,84:64-75;Material Research Express 2017,4: 025101;Composites Part A: Applied Science and Manufactur...
2013年11月18日,中国科学院深圳先进技术研究院“先进电子封装材料”广东省创新团队(以下简称“创新团队”)第一届电子封装材料技术论坛在深圳市会展中心召开。本次论坛以“新一代电子封装关键材料的开发与产业化”为主题,深入探讨我国电子封装材料与模式,商议建立畅通的产学研合作渠道。先进院院长助理、产业发展与资源处处长毕亚雷主持论坛开幕仪式。
为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS) 工艺制备了SiCP/Al 复合材料。研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiCP/Al复合材料组织形貌和性能的影响。结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min 时,所制备的 70 vol %SiCP/Al复合材料热导率达到195. 5 W (m ·K)-1,与传统 15 %W2Cu合金相当,是Kovar合金的...
采用粉末冶金液相烧结工艺制备Si-50Al电子封装材料,研究了压制压力对材料性能的影响。研究结果表明:增大压制压力可提高材料致密度,有效地促进界面的反应结合,使材料热导率提高;但当压制压力过大时,由于Si颗粒发生开裂甚至解理,界面热阻急剧上升,导致热导率下降;高压制压力导致Si-Al体系在945℃附近出现1个放热过程,这个放热过程对应于该温度下氧化铝薄膜的破裂以及随后Al与Si颗粒表层SiO2的界...
该工艺采用直流等离子技术,温度可高达3000-30000K,是目前实验室与工程中所能达到并连续应用的最高温度。石英微粉在供粉载气携带下喷入等离子反应器瞬间受热熔化,熔化的颗粒在表面张力作用下收缩成为球形液滴,经冷凝进入收集装置。通过在直流电弧等离子发生器设备上进行小试半工业试验,经数值模实验室研究解决了特定的温度场、速度场,颗粒轨迹、防止熔融结块等一系列难题,在国内首次成功的开发了石英微粉球形化技...
采用喷射沉积与热压相结合的方法制备电子封装用70%Si-Al合金坯料,采用扫描电镜和金相显微镜观察合金的显微组织。结果表明:采用喷射沉积与热压相结合的方法可获得直径为76.2 mm、厚度为6 mm的70%Si-Al合金样品;合金中初晶Si的长大受到抑制,初晶Si相的尺寸仅为20~50 μm,分布均匀且形成连续骨架;Al相围绕Si相间隙呈连续网络分布,这种结构有利于提高材料热导率,降低其线膨胀系数;...
采用喷射沉积技术制备了新型电子封装材料70%Si-Al合金, 对其进行热等静压致密化处理后, 测试了合金的主要性能. 结果表明: 喷射沉积70%Si-Al合金的密度低,组织细小均匀, 各向同性, Si相粒子尺寸在10-20 μm之间且弥散分布. 新型70%Si-Al合金具有与Si和GaAs等半导体材料相近的热膨胀系数, 热稳定性好,经热等静压后合金的性能进一步提高. 喷射沉积70%Si-Al合金具...
分析了传统熔渗法生产的W-Cu材料气密性差的工艺因素,采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型,通过调整成型压力,使生坯中的W含量达到电子封装W-Cu15含钨量的标准,其余的Cu在熔渗时渗入。实验表明,加入1%~2 .5%的诱导铜的生坯在1350℃熔渗1.5h,其气密性可以达到满意的效果.

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