搜索结果: 1-1 共查到“陶瓷学 低温制备”相关记录1条 . 查询时间(0.402 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅氮氧陶瓷 低温制备
<
2023/12/18
本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制备技术,特别提供了一种耐高温、 抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法,解决现有技术中制备硅氮氧陶瓷材料时,存 在的温度相对较高、反应时间长等问题。采用一定化学计量比的氮化硅和二氧化 硅为原料,以碳酸锂为烧结助剂,原料经过研磨10-30小时,装入石墨模具中冷 压成型,在通有氮气作为保护气氛的热压炉中烧结,烧结温度为1400-1600℃、 烧结时间为0.1-1小时。本发明...