搜索结果: 1-15 共查到“工学 氮化物”相关记录57条 . 查询时间(0.084 秒)
中国科学院全氮化物铁磁/超导界面近邻效应研究获进展
氮化物铁磁 超导界面 凝聚态物理
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2024/4/11
超导体（S）和铁磁体（F）之间的界面是凝聚态物理研究的热点。二者界面耦合产生了较多有趣的物理现象。S/F界面的磁近邻效应是由界面两侧的电子自旋之间的交换相互作用，导致抑制磁序或出现非传统超导电性。当磁性材料靠近超导体时，磁场进入超导体内仅几纳米的区域并破坏库珀对，致使界面的超导行为发生空间变化，影响两侧材料的宏观物理特性。当前，超导自旋电子学已成为新兴领域，对实现无耗散自旋逻辑和存储技术具有重要作...
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法
中国科学院金属研究所 专利 刻蚀基板法 外延定向生长 氮化物 纳米片网络
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2023/12/27
一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法,采用刻蚀Si 基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格,首先用 含1-5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min,然后去除表面的氧化硅薄膜,用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区,刻蚀后的Si片 作沉积基板放在出气端,用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米 片。这种Si基板自生模板,与常规氧化铝多孔模板相...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钼基氮化物复合硬质薄膜及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钼基 氮化物 复合硬质薄膜
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2023/11/27
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钼基氮化物复合硬质薄膜及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
中国科学院金属研究所 专利 刻蚀基板法 外延定向生长 氮化物 纳米片网络
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2023/11/20
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
本发明公开一种光电极及其制备方法。金属性氮化物基底作为电流收集体，非全氧化物半导体光活性层与其紧密接触，半导体表面无或者有以助催化剂修饰，组成光电化学光电极。首先，制备导电的金属性氮化物基底。其薄膜方块电阻可低到1.8Ω/sq，电阻率0.16mΩ/cm，优于商品化FTO和ITO。其次，沉积或涂覆半导体或者含半导体金属组分的前驱体，于惰性气氛或者半导体非金属组分的氢化物气氛下高温处理。金属性氮化物基...
中国科学院金属研究所专利：一种新型氮化物强化马氏体耐热钢
中国科学院金属研究所 专利 氮化物 强化马氏体 耐热钢
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2023/9/5
本发明提供了一种新型氮化物强化马氏体耐热钢,其特征在于：所述马氏体耐热钢的主要合金成分(重量百分比)为Mn：0.8～1.5%；Cr:8.0～10.0%；W:≤1.5%；Mo:≤1.5%；且W+Mo:1.5～2.0%；Nb:≤0.06%；Ta:≤0.15%；且Nb+Ta：0.05～0.15%；V:0.1～0.3%；N:0.03~0.05%；Fe：余量；其通过增加Mn元素含量,在几乎不降低材料AC1相...
中国科学院金属研究所专利：一种获得多尺度氮化物强化马氏体耐热钢的工艺
中国科学院金属研究所 专利 多尺度 氮化物 马氏体 耐热钢
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2023/8/18
中国科学院金属研究所专利：一种获得多尺度氮化物强化马氏体耐热钢的工艺
中国科学院金属研究所专利：一种氮化物强化ODS钢及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 氮化物 强化ODS钢
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2023/8/12
中国科学院金属研究所专利：一种氮化物强化ODS钢及其制备方法
中国科学院半导体研究所在氮化物材料外延研究中取得进展（图）
氮化物材料 外延 中国科学院半导体研究所
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2023/4/28
近日，中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则，同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。
中国科学院半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展（图）
氮化物材料 半导体 二维材料
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2023/7/7
202年4月24日，半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则；同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。相关工作以“二维材料辅助的氮化物外延生长准则（Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth）”，...
俄罗斯国家原子能集团公司(Rosatom)表示，西伯利亚化学联合体(SCC)已完成BN-1200快堆燃料棒的制造，这些燃料棒计划2023年装入到别洛雅尔斯克核电厂3号BN-600快堆机组，进行辐照测试。
中国科学院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”（Continuous Single-Crystall...
中国科学院半导体所在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展（图）
氮化物外延 新型器件 高温热电 单晶氮化镓薄膜
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2023/7/7
半导体所照明研发中心刘志强研究员与半导体所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”（Continuous Single-Crystalline GaN Film G...
宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展（图）
宽禁带半导体 氮化物薄膜 太阳电池 电子器件
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2023/7/13
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景。与GaAs、InP等其他化合物半导体不同，纤锌矿III族氮化物如GaN、AlN、AlGaN材料由于其结构具有非中心对称特点，沿c轴方向产生强烈的自发极化，对应于金属极性（III-polar）和氮极性...
中国科学院近代物理研究所氮化物涂层辐照效应研究获进展（图）
氮化物涂层 辐照效应 反应堆结构材料
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2022/9/14
氮化物涂层具有高硬度、高热稳定性，以及优异的抗摩擦磨损、耐腐蚀性能，作为反应堆结构材料表面防护涂层材料展现出应用潜力。然而，堆内强辐射场或影响涂层材料的服役性能。
近日，中国科学院近代物理研究所核能工程材料室在纳米结构TiAlN涂层辐照效应研究方面取得进展。