搜索结果: 16-30 共查到“工学 氮化物”相关记录57条 . 查询时间(0.093 秒)
中国科学院半导体研究所在氮化物材料生长界面研究方面取得新进展(图)
中国科学院半导体研究所 氮化物材料 生长界面 半导体材料
<
2022/9/27
中国科学院半导体所在氮化物材料生长界面研究方面取得新进展(图)
氮化物材料 生长界面 电力电子
<
2023/7/7
氮化物半导体材料是半导体照明、全彩显示、电力电子等器件的核心基础材料,在其已经实现大规模产业化应用的今天,氮化物材料生长界面研究仍具有重要的科学意义,日久弥新。
“界面即器件”,界面是器件设计的基础,同时也是材料生长控制的核心。上个世纪80年代,日本科学家首次实现了氮化物材料外延,然而30余年时间里,生长界面仍存在大量学术争议,传统“由表面推测界面”的研究方法常常引起错误的认知,例如:1、异质...
为了获得高性能高熵合金氮化物薄膜,迫切需要一种可提供高密度等离子体环境并进而控制薄膜生长过程的合成技术。近期,中国科学院力学研究所在这方面取得重要进展。
刘忠范院士:我国石墨烯玻璃晶圆氮化物材料外延取得“0到1”的原创性突破
石墨烯 单晶 氮化物 材料
<
2021/8/2
近期中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范、中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作,提出了一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),国际上首次在玻璃衬底上成功“异构外延”出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备蓝光发光二极管(LED)。
2021年2月17日,俄罗斯西伯利亚化学联合公司(SCC)表示,该公司已启动试点示范能源综合体(ODEK)致密铀钚氮化物燃料(MNUP)生产/再制造模块项目的主要设备安装。该项目是俄罗斯突破(Proryv)项目的一部分。
单光子源是实现未来光量子技术(包括光量子计算、量子秘钥分配等)的一种必要光源。迄今为止,已有多种结构和材料体系被用于实现高品质的单光子源。III族氮化物量子点具有发光波长覆盖面广和振子强度大的特点,有望实现室温应用。然而氮化物量子点系统发展至今,总会存在难以控制的微小尺寸变化,进而导致不同发射体之间发射能量的相对较大的变化。因此,利用新材料或新技术开发单光子源的基础研究至关重要。
针对这一难题,...
中国科学院力学研究所在超硬高熵合金氮化物薄膜合成研究中取得进展(图)
中国科学院力学研究所 超硬 高熵合金氮化物 薄膜合成
<
2020/6/16
中国科学院力学研究所镀层工艺力学及摩擦学课题组长期从事高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)研究,探索高密度等离子体的发生、传输及沉积的力学过程,形成极端环境适应性涂层的结构与性能的控制技术。课题组基于SRIM粒子溅射模拟结果,设计了AlCrTiVZr高熵合金靶材。在此基础上,通过HiPIMS技术制备高熵氮化物涂层,系统研究了氮气流量对等离子体沉膜环境、涂层微观结构、机械性能以及摩擦学性能的调控机...
“好奇”号发现火星岩石中存在氮化物
火星岩石;氮化物;收集的样本
<
2022/3/7
氮是地球上生物重要的营养来源。日前,美科学家分析“好奇”号火星车之前收集的样本,发现了火星岩石中存在氮化物的证据。该研究结果发表在美国《国家科学院学报》上,也进一步支持了这颗贫瘠干旱的红色行星可能曾有适合生物居住环境的观点。
华南师范大学李述体研究团队在《Nano Energy》、《Nano Letters》发表氮化物纳米压电效应重要研究成果
华南师范大学 李述体研究团队 Nano Energy Nano Letters 氮化物 纳米压电效应
<
2017/10/16
近日,我校光电子材料与技术研究所李述体研究员团队在氮化物半导体材料与器件领域取得重要研究进展,其指导的博士生宋伟东、王幸福先后在国际纳米顶级权威期刊《Nano Energy》(DOI:10.1016/j.nanoen.2017.01.032,IF= 12.343)、《Nano Letters》(DOI:10.1021/acs.nanolett.7b01004,IF=12.712)上发表了氮化物纳米...
氮化物在极弱光下的光电导研究取得进展(图)
氮化物 极弱光下 光电导 取得进展
<
2017/4/11
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室康亭亭研究员等在中科院百人计划支持下,在“极弱光下氮化物光电导研究”方面取得新进展。研究人员以极限条件(即弱光、极低温、强磁场)下的光电实验物理为主要研究方向,设计以LED(发光二极管)为光源的弱光光电导测量系统[下图所示],测量InN的光电导行为。
第538次香山会议举行郝跃院士介绍极性氮化物材料(图)
第538次 香山会议 材料
<
2015/10/9
以“纳米能源和压电(光)电子学发展前沿研讨”为主题的第538次香山科学会议2015年9月16日至17日在北京举行。中科院北京纳米能源所王中林院士、浙江大学张泽院士、西安电子科技大学副校长郝跃院士、北京科技大学张跃教授担任会议执行主席。郝跃院士作了“极性氮化物材料与电子器件研究新进展”的中心议题报告。
模型氮化物对邻二甲苯催化裂化反应的影响
模型氮化物 邻二甲苯 催化裂化反应 焦炭
<
2015/12/24
在固定床微反实验装置中考察了不同模型氮化物对邻二甲苯催化裂化反应的影响,N元素的添加量为4000μg/g,催化剂的活性组分为USY分子筛。结果表明,吡啶、喹啉导致邻二甲苯的转化率有所下降。吖啶对焦炭的贡献,与其在催化剂上的吸附有关;同时吖啶诱导邻二甲苯生成更多的焦炭,并伴随氢气的大量生成,使邻二甲苯的加氢饱和反应与开环裂化反应得到促进。与空白实验相比,添加吖啶后,邻二甲苯的转化率略有上升,干气、液...
2014年12月7日-8日,香山科学会议第516次学术讨论会在苏州召开,这是香山科学会议在北京外召开的第5次会议。本次会议主题为“氮化物半导体电子器件”。会议由中国科学院院士、西安电子科技大学副校长、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院院长郝跃教授担任执行主席,北京大学沈波教授,香港科技大学陈敬教授以及中科院苏州纳米所杨辉研究员担任会议共同执行主席。来自国家自然科学基金委员会、中国科学院、西安电...