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中国科学院上海应用物理研究所专利:一种单层石墨烯的制备方法
中国科学院上海应用物理研究所 专利 单层石墨烯
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2023/8/8
化学气相沉积(CVD)是生长大面积高质量石墨烯的有效方法之一。在石墨烯的CVD生长过程中,需要使用金属催化剂,石墨烯需要转移才能构筑电学器件,与当前的半导体加工工艺不兼容,同时转移会造成石墨烯的褶皱、破损和降低其电学性能。如能在绝缘衬底上实现石墨烯的无金属催化生长,那就不需要转移可直接构筑电学器件。但是,不同于多数金属基底上的自限制生长方式,石墨烯在绝缘基底上的CVD生长常常会伴随有生长速度慢与重...
近年来,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室高鸿钧团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性与应用基础等方面开展研究,取得一系列居国际前沿的研究成果。在过去十多年间,他们采用分子束外延生长方法,1) 制备出了大面积、高质量的石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料,如:外延石墨烯 [Chin. Phys. 16, 3151 (2007), Adv. Mater. 2...
科学家成功制备国内首片15英寸单层石墨烯
石墨烯 石墨烯材料
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2017/5/16
“最初研究时,载流子迁移率才几千,现在能达到2万了。”连日来,中科院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心主任、研究员史浩飞和同事天天都往实验室跑,为提升石墨烯材料的性能不停地做实验。
中国科学院近代物理研究所材料研究中心采用快重离子及高电荷态离子研究了单层石墨烯辐照效应,通过对石墨烯与块体石墨辐照损伤的实验和理论分析,获得石墨烯与块体石墨辐照损伤程度的变化规律,首次得到两者辐照损伤差异的成因。
北京大学工学院孙强教授研究组在磁性单层石墨烯方面取得新进展(图)
北京大学工学院 孙强 磁性单层石墨烯
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2009/9/3