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模拟集成电路基础与带隙基准设计课程培训顺利开展（图）
集成电路 带隙基准 课程培训
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2023/11/28
2023年10月18-20日，由深圳市高新技术产业促进中心（国家集成电路设计深圳产业化基地）组织的模拟集成电路基础与带隙基准设计课程培训在深圳软件园顺利举办。本次培训邀请拥有丰富高性能IC芯片设计经验的井凯博士授课，共吸引近40位模拟集成电路设计工程师、研发人员以及相关领域从业者参加。
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路，其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生，正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生．该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证，基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75％．测试结果表明，该电路功耗仅为0.65μW，最低工作电压为0.829V，温度系数为±63×10-...
高精度、低温度系数带隙基准电压源的设计与实现
带隙基准电路 高精度 高阶温度补偿
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2009/8/31
为了提高传统带隙基准电压源的温度特性，本文采用一种双差分输入对的运算放大器对传统带隙基准电路进行高阶温度补偿。电路采用TSMC 0.35μm CMOS混合信号工艺实现，采用Cadence公司Spectre软件进行电路仿真。仿真结果表明，带隙基准电压源在-40～125℃范围内的温度系数为2.2ppm/℃。
基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源
带隙电压基准源 负反馈箝位 温度稳定性
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2009/4/30
该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz~1MH...
一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源
负反馈箝位 带隙电压基准源 高温度稳定性
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2009/1/17
提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源．电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器，而是采用负反馈技术实现电压箝位，简化了电路结构; 输出部分采用调节型共源共栅结构，保证了高的电源抑制比．整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现，并用HSPICE进行仿真，结果表明所设计的电路在-45℃～125℃范围内的温度系数为12.9×10-6／℃，频率为10Hz...
一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源
CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿
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2008/10/6
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源. 由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV. 通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃. 在电源电压为1.1V时，电源电流为43μA，低频的PSRR为55dB. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm 混合信号工艺验证，芯片面积为0.186mm2.