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中国科学院大连化学物理研究所专利：种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源（图）
中国科学院大连化学物理研究所 专利 飞行时间 质谱 磁控溅射 团簇离子源
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2023/8/16
一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源，该离子源包括腔体、氩进气管、氦进气管、金属靶材和喷口。金属靶材位于靠近飞行时间质谱的一侧，氩进气管和氦进气管在金属靶材的两端，腔体与飞行时间质谱相邻的一侧有1个凸向腔体的喷口。本发明将磁控溅射离子源与飞行时间质谱相结合，测试样品时，氩气经进气管进入腔体后被电离，电离的氩气离子快速的轰击金属靶材表面，产生金属等离子体，金属等离子体由氦气载带，由喷口喷出形成团...