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无限层镍基超导薄膜的Tc在压力下被提升至30K以上（图）
无限层镍 超导薄膜 Tc 30K
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2023/1/6
在迄今发现的所有超导体中，铜氧化物高温超导体保持常压下超导临界温度(Tc)的最高纪录，其非常规的超导微观机理仍然是凝聚态物理领域最具挑战性的科学问题之一。作为元素周期表中Cu的最近邻元素Ni，早在上世纪90年代初就有理论指出，无限层结构的镍氧化物因与铜氧化物高温超导体具有相似的晶体结构和电子构型，被认为是潜在的高温超导体系。然而，30多年来实验方面的进展迟缓，人们在无限层镍氧化物的多晶、单晶以及薄...
第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会举办
第十三届 全国超导薄膜和超导电子器件学术 研讨会
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2014/9/1
2014年8月26日至28日，第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会圆满召开。本次研讨会由中国电子学会超导电子学分会主办，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中科院上海超导中心和信息功能材料国家重点实验室承办。来自全国近30个科研机构的186名代表参加了本次学术研讨会。20家相关领域的企业以赞助商或产展商形式参与了本次研讨会。
多层交替沉积后退火处理MgB2 超导薄膜上约瑟夫森结的制备
多层交替沉积后退火 MgB2 薄膜 聚焦离子束刻蚀 约瑟夫森结
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2013/8/15
在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2 薄膜上用紫外光刻和Ar 离子刻蚀制作出SQUID 环路膜条, 然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID 的环路上制作了150~300 nm 之间不同尺寸的纳米微桥结构, 并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T 曲线与薄膜基本相同, 表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响. 对SQUID的R-T 关...
《自然》：美国科学家造出高温超导“薄膜”（图）
造超导器件 薄膜
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2008/10/10
在制造超导器件的道路上，一个重要的目标就是要找到作为纳米尺度超导体的材料。这样的超薄超导体将在超导晶体管以及最终的超快、节能电子学中发挥重要作用。
在强磁场中金属薄膜的超导电理论(Ⅱ)——超导薄膜的临界磁场
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2007/12/12
在本文中,作者根据前文的理论,计算了超导薄膜的二级相变临界磁场,求出(△t)3/2级修正项(磁场平行于膜的表面,△t=1-T/Tc)。所得结果与Douglass-Blumberg以及Toxen实验资料符合。