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本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法,该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成,通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间,使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出,并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下,计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
为深化校企合作,促进产教融合,助力集成电路行业人才培养,2023年12月12日-14日,学院联合爱德万测试(中国)管理有限公司在浦口办学点成功举办Advantest江苏地区首场ATE测试培训活动,吸引了南京邮电大学、东南大学、南京信息工程大学等高校近30余名学员参加本次培训。本次活动依托学院 “工业和信息化集成电路封测领域产业人才基地”。
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置,该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境,将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室,变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境;其次,设计变温室中的样品架及样品夹具板,实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递,设计待测样品的偏置及测试数据传递通路,...
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法,主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异,无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场,其中,电源模块和测试模块位于辐射场外,辐照模块位于辐射场内,可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测,进而获取过程数据;同时,辐照模块可放置N个待测芯片,且各待测芯片相互独立,由此可对待测芯...
本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法,用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元;采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块,SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流;数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励,并采集待测数字集成电路输出...
2023年11月17日,由深圳市高新技术产业促进中心和深圳市龙岗区科技创新局指导,天芯互联科技有限公司和龙岗区城市建设投资集团有限公司共同主办的“2023年集成电路测试验证技术研讨会”在我市龙岗区智慧家园集成电路测试验证工程技术中心成功召开。
本实用新型涉及半导体测试技术领域,具体涉及一种温差电元件发电性能测试系统和样品台。一种温差电元件发电性能测试系统,用于同时对两种不同类型的待测温差电元件进行测试,包括电源单元,检测单元,样品台和气氛单元,气氛单元用于至少容置待测温差电元件以提供测试气氛,样品台用于夹持待测温差电元件,电源单元用于与样品台和待测温差电元件组成温差发电回路,其中样品台包括集温器和在集温器两侧设置的电极,集温器与电极存在...
近年,我国集成电路企业设计能力不断提高、设计领域不断扩展,高速测试、三温测试等高端测试需求也随之增加。同时,高性能的商用测试机、探针台、分选机等国产集成电路测试设备也开始崭露头角,并提供配套解决方案和高质量服务。
微电子学院集成电路测试与容错设计方向研究领域包括宇航电子、汽车电子等安全关键领域,设计高可靠长寿命的芯片。近五年承担的科研任务包括国家自然科学基金重大科研仪器研制项目、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金面上项目、安徽省重点研发项目。该学科方向的学术成果发表在高水平学术期刊IEEE 电脑交易、电路和系统的交易、IEEE 核科学期刊、大规模集成系统上的事务。
为进一步深化校企合作,促进产教融合,助力集成电路行业人才培养,合肥工业大学携手爱德万测试,于9月20日~21日在翡翠科教楼A1814实验室举办了“集成电路测试专题培训班”。参训人员包括了来自合肥工业大学国家示范性微电子学院、安徽大学集成电路学院、合肥工业大学计算机学院的20多位同学和老师。
合肥工业大学微电子学院闫爱斌教授受国际测试会议亚洲分会组委会邀请,赴日本松江参加第七届国际测试会议亚洲分会会议IEEE ITC-Asia 23,并作题为《一种低开销双节点翻转自恢复锁存器》、《一种新型四节点镦粗硬度锁存器的设计》和《面向安全关键应用的高可靠低功耗双节点翻转恢复SRAM设计》的分组报告。
中国科学院微电子研究所专利:高精度集成电路器件测试设备
中国科学院微电子研究所专利:芯片上测试开关矩阵
专利名称:集成电路的测试装置 专利类别:发明专利 申请号:201210576911.X 申请日期:2012-12-26 专利号:201210576911.X 第一发明人:谢朝辉;赵明琦;王德坤;刘海南;黑勇;周玉梅 实施情况:授权 专利证书号:201210576911.X 其它备注:硅器件中心
中国科学院微电子研究所专利:一种SOIMOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法

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