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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 总剂量辐照 PMOSFET 负偏压温度 不稳定性影响
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2024/1/5
本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果...
麦克风效应对CiADS超导腔稳定性影响的仿真分析
超导腔 麦克风效应 幅相稳定性 仿真
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2021/1/8
加速器驱动嬗变研究装置(CiADS)对质子超导直线加速器提出了高稳定性要求，在工程设计阶段需对直线加速器的各种不稳定因素，特别是对超导腔的麦克风效应的影响进行评估。基于谐振系统的冲击响应模型，发展了一种离散化的电压迭代求解方法，并利用该方法构建了高频系统仿真程序，用于分析麦克风效应作用下超导腔的时变状态。通过仿真，研究了麦克风效应对腔体幅相稳定性的影响及与超导腔的谐振频率、Q值和带宽等参数的关系。...