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InSb芯片碎裂与迸溅金点的关系
锑化铟红外焦平面探测器 迸溅金点 热应力分布 能量释放率
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2022/4/1
批量生产中经常发生的锑化铟（InSb）芯片碎裂问题制约着InSb红外焦平面探测器（IRFPAs）成品率的提升。经分析认为：低周期液氮冲击下发生在器件边沿区域的InSb芯片破碎与该区域中迸溅金点的存在有关。为从理论上明晰迸溅金点对InSb芯片局部碎裂的影响，本文建立了包含迸溅金点的InSbIRFPAs结构模型，分析了迸溅金点的存在对应力分布的影响。在此基础上，在应力集中处预置不同长度的初始裂纹用以描...