搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 北京大学”相关记录77条 . 查询时间(0.857 秒)
在材料科学的新时代,我们必须处理各种各样的物质。不仅在材料科学领域,而且在化学和凝聚态物理领域,都可以说同样的话。由于此类物质的大部分物理和化学性质取决于其电子状态,因此可以说,正确理解物质的电子状态对下一代科学和技术至关重要。新概念材料学从理解物质的电子状态开始,通过理论指导实际应用。
北京大学材料科学与工程学院新概念材料研究所科研成果(图)
北京大学 材料学院 新概念材料 科研成果
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2023/5/16
北京大学材料科学与工程学院王前教授课题组利用全新方法,发现了迄今最稳定的三电荷负离子结构。王前教授带领团队利用量子力学统计原理,创建了全新的计算机模型,并证明由元素硼与铍等组成的三电荷负离子,能在2.65电子伏特的冲击下保持稳定。研究人员将八电子规则和硼烷结构电子计数规则等化学原理结合,为设计其他三电荷负离子提供了全新思路。(原文链接:Colossal Stability of Gas-Phase...
北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作,揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制,深入理解高压调控的光学跃迁演化过程,为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》(Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
北京大学东莞光电研究院常务副院长张国义教授一行来访南方科技大学深港微电子学院调研座谈(图)
北京大学东莞光电研究院 张国义 南方科技大学深港微电子学院 调研 半导体材料与器件
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2022/10/18
北京大学微纳电子学系王源教授(图)
北京大学微纳电子学系 王源 教授 集成电路可靠性设计
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2021/5/10
北京大学微纳电子学系王金延教授(图)
北京大学微纳电子学系 王金延 教授 半导体器件特性表征
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2021/5/10
北京大学微纳电子学系王茂俊副教授(图)
北京大学微纳电子学系 王茂俊 副教授 第三代宽禁带半导体电子器件
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2021/5/10
王茂俊,副教授,主要从事基于GaN的第三代宽禁带半导体电子器件的研究,研究方向包括GaN基射频微波器件以及电力电子功率开关器件的器件物理和工艺。在国际物理及器件期刊,如IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters,Journal of Applied Phys...
北京大学微纳电子学系博士生导师魏进研究员(图)
北京大学微纳电子学系 博士生导师 魏进 研究员 宽禁带半导体技术
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2021/5/10
北京大学微纳电子学系博士生导师马宇飞研究员(图)
北京大学微纳电子学系 博士生导师 马宇飞 研究员 集成电路设计
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2021/5/8
北京大学微纳电子学系博士生导师廖怀林教授(图)
北京大学微纳电子学系 博士生导师 廖怀林 教授 射频/毫米波集成电路与系统
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2021/5/8
北京大学微纳电子学系鲁文高研究员(图)
北京大学微纳电子学系 鲁文高 研究员 集成电路设计
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2021/5/8