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中国科学院深圳先进技术研究院专利：铜铟镓硒薄膜电池的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 铜铟镓硒 薄膜电池
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2023/11/24
中国科学院深圳先进技术研究院专利：铜铟镓硒薄膜电池的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 绒面 铜铟镓硒 薄膜电池
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2023/11/23
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法
柔性锌二氧化锰薄膜电池问世
柔性锌 二氧化锰 薄膜电池 问世
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2013/6/27
随着可穿戴电子设备的兴起，具有柔性的超薄印刷薄膜电池日渐成为科学家们研究的热点。包括有机半导体薄膜晶体管在内的新技术纷纷涌现，但由于稳定性等局限性还无法应用于实际产品之上。据物理学家组织网报道，近日发表在《应用物理学快报》上的一篇研究，提出了一种新的方案——锌二氧化锰电池。
美国研发出铜锌锡硫化合物薄膜电池
美国 铜锌锡硫化合物薄膜电池
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2010/12/9
据美国物理学家组织网2010年12月8日（北京时间）报道，美国普渡大学科学家最新报告称，他们设计出了由低成本、来源丰富的材料制成的太阳能电池，这种电池易于大规模生产且性能非常稳定，其全域转化效率高达7.2%，高于目前的同类太阳能电池，其转化效率在未来还有很大的提升空间。以郭启杰（音译）为首的科学家在最近一期《美国化学会会志》上撰文指出，他们利用一种以溶液为基础的薄膜沉积法，使用地球上储量非常丰富的...
太阳能硅薄膜电池的研究进展
单晶硅 多晶硅 非晶硅
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2009/6/10
阐述了太阳能电池发电原理和硅系太阳能薄膜电池（单晶硅、多晶硅和非晶硅）的结构、基本原理和特点。介绍了硅系太阳能薄膜电池的发展现状，同时对其优缺点进行了比较，并分析了硅系太阳能薄膜电池的发展前景。
1cm^2效率为12%CIGS太阳能薄膜电池与技术
太阳能薄膜电池 铜铟硒电池
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2008/10/24
铜铟镓硒（CIGS）太阳能薄膜电池是以普通钠钙玻璃为衬底，磁控溅射法沉积1mm厚的Mo层作为电池底电极，用真空多源三步共蒸发工艺沉积CIGS化合物半导体薄膜，生长厚度大约2mm；第一步蒸发90% 左右的In和Ga，蒸发时间大约控制在15～20分钟，衬底温度为350℃；第二步蒸Cu的时间约25～30分钟内，衬底温度为540℃；第三步蒸发剩余10%的In和Ga，蒸发时间为5分钟，衬底温度仍保持在5...
效率为6.6%的CIGS太阳能薄膜电池小组件技术
薄膜电池 小组件 太阳能
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2008/10/13
铜铟镓硒（CIGS）太阳能薄膜电池小组件的制作与商品化的大组件技术是一致的，它们都是以普通钠钙玻璃为衬底，磁控溅射法沉积1mm厚的Mo层作为电池底电极，激光切割底层钼电极成栅状，两电极的间距0.08mm左右，用真空多源三步共蒸发工艺沉积CIGS化合物半导体薄膜，生长厚度大约2mm；采用化学水浴法（CBD）制备薄膜电池CdS缓冲层，中频磁控溅射纯ZnO靶制备高阻本征i-ZnO膜，这两层薄膜的厚度...