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基于宽禁带氧化物半导体薄膜材料的MEMS传感器研发(图)
宽禁带氧化物半导体薄膜材料 MEMS传感器
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2022/5/30
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
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2009/6/5
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的...
VLSI/ULSI器件薄膜材料和工艺技术
集成电路 半导体材料 薄膜半导体材料
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2009/3/3
经济、社会、环境效益及推广应用前景:1、经济效益在现有多晶硅器件制造中应用自对准金属硅化物技术,可使器件技术升级换代,发展高速CMOS器件制造技术,在亚微米器件制造中更需要对准硅化物技术。推广应用该项成果,可以产生可观经济效益,节约技术引进费用。2、社会效益:根据研究结果,专题组成员及合作者已在国内外核心期刊上和国际会议上发表论文40余篇,受到国际上的重视、摘录和引用,由SCI检索查到的近年引用论...
VLSI/ULSI器件薄膜材料和器件工艺技术
集成电路 半导体材料 薄膜半导体材料
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2009/3/3
经济效益分析:采用SOI材料制备的集成电路具有高速、低功耗、抗辐照、消除CMOS自锁效应、高可靠性等独特特点。另外,国外在军事和空间运用方面,用SPI技术对中国封锁,即使购到少量的SOI材料价格也十分昂贵,因此发展甸的SOI技术是十分迫切的。目前,国内某些单位主要研究注氧隔离(SIMOX)和硅片键合(BFSOI)等SOI技术,尚无单位研究注氧多化硅全隔离(FIPOS)SOI技术。该成查的研究采用多...