搜索结果: 91-105 共查到“半导体技术 半导体研究所”相关记录290条 . 查询时间(0.376 秒)
中国科学院半导体研究所在锑化物纳米线研究中取得系列进展（图）
中国科学院半导体研究所 锑化物纳米线
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2016/2/24
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛采用外来Au催化的气-液-固（VLS）机制制备纳米线，但Au催化剂能在半导体材料中形成深能级复合中心，这...
中国科学院半导体研究所等成功制备立式InSb二维单晶纳米片（图）
中国科学院半导体研究所 立式InSb二维单晶纳米片
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2016/2/22
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了高质量立式InSb二维单晶纳米片的研究成果。
中国科学院半导体研究所在h-BN二维原子晶体研究方面取得系列进展（图）
中国科学院半导体研究所 原子晶体
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2015/11/5
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h-BN表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在，有利于还原本征石墨烯极高的载流子迁移率。此外，h-BN具有宽禁带...
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员吴南健团队研制出一种低功耗无源/半无源双模无线温湿度传感器。相关研究成果在传感器领域学术期刊IEEE SENSORS JOURNAL上发表，该论文在2015年2月和3月连续入选为该期刊的前50热点论文。
中国科学院半导体研究所等在转角多层石墨烯的呼吸层间耦合研究中获进展（图）
半导体 石墨烯 拉曼光谱
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2015/6/26
以石墨烯为代表的二维材料具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。将石墨烯堆叠起来可以得到多层石墨烯。除了具有和体石墨相同的Bernal堆垛(即AB堆垛)方式的多层石墨烯之外，还可以在实验室制备或者合成出不同石墨烯片层取向随机的多层石墨烯，即转角多层石墨烯。转角多层石墨烯内各子系统的层数不同和各子系统间旋转角度的不同将使得其具有无限多的...
北京邮电大学与中国科学院半导体研究所共建“黄昆班”开班仪式隆重举行（图）
北京邮电大学 中国科学院半导体研究所 黄昆班 开班仪式
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2015/3/20
2015年3月18日上午，北京邮电大学与中科院半导体所共建“黄昆班”开班仪式在行政办公楼501隆重举行。北京邮电大学理学院院长、中国科学院半导体研究所郑厚植院士，中国科学院半导体研究所副所长杨富华，北京邮电大学副校长任晓敏，校长助理党政办主任辛玲玲，教务处处长孙洪祥，学生处副处长朱开明，北京邮电大学理学院执行院长肖井华，党委书记袁喆颖等领导以及理学院教师代表，“黄昆班”全体同学和2013级理学院本...
中国科学院半导体研究所在柔性电子学研究中取得系列成果
中国科学院半导体研究所 柔性电子学研究
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2015/2/4
近年来，基于柔性衬底的柔性电子学受到了全球范围越来越广泛的关注，其在柔性显示、电子皮肤、传感器、可再生能源等诸多领域都有着潜在的应用前景。而低维无机半导体纳米材料的特殊形貌、优异的电学/光学性能、良好的机械柔韧性等特点，使其成为了柔性电子学领域的一类非常优异的材料体系。近年来，在国家自然科学基金（项目号51002059，91123008，61377033）的持续资助下，中国科学院半导体研究所沈国震...
中国科学院半导体研究所半导体研究所2015年博士招生专业目录
中国科学院半导体研究所半导体研究所 2015年 博士招生 专业目录
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2014/12/18
中国科学院半导体研究所成立于1960年，是集半导体物理、材料、器件、工艺、电
路及其集成应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心——国
家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3个国家重点实验室——半导体超晶
格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半
导体所区）；2个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验室、...
中国科学院半导体研究所2015年硕士招生专业目录
中国科学院半导体研究所 2015年 硕士招生 专业目录
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2014/12/18
中国科学院半导体研究所成立于1960年，是集半导体物理、材料、器件、工艺、电
路及其集成应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心——国
家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3个国家重点实验室——半导体超晶
格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导
体所区）；2个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验室、...
中国科学院半导体研究所2014年硕士生招生简章
中国科学院半导体研究所 2014年 硕士生 招生简章
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2014/12/18
中国科学院半导体研究所成立于 1960 年, 是集半导体物理、材料、器件、工艺、电路
及其集成应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有 2 个国家级研究中心——国家光
电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3 个国家重点实验室——半导体超晶格国家
重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；
2 个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实...
中国科学院半导体研究所2014年博士生招生简章
中国科学院半导体研究所 2014年 博士生 招生简章
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2014/12/18
中国科学院半导体研究所成立于 1960 年, 是集半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研
究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有 2 个国家级研究中心——国家光电子工艺中心、光电子器件国
家工程研究中心；3 个国家重点实验室——半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验
室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；2 个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验
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中国科学院半导体研究所多层转角石墨烯的层间耦合研究获进展（图）
半导体 多层转角石墨烯 层间耦合
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2014/11/14
石墨烯具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。将石墨烯堆叠起来可以得到多层石墨烯。除了具有和体石墨相同的Bernal堆垛(即AB堆垛)方式的多层石墨烯之外，还可以在实验室制备或者合成出不同石墨烯片层取向随机的多层石墨烯-多层转角石墨烯。堆垛方式的差异有可能导致石墨烯片层不同的层间耦合，从而影响其电子能带结构。因此不同层数的多层转角石墨...
中国科学院半导体研究所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源（图）
半导体 大功率 量子阱激光器 宽谱光源
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2014/10/11
半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。
中国科学院半导体研究所等在量子比特退相干研究中获得新发现（图）
半导体 量子比特退 比特对应
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2014/9/12
在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室李树深院士的研究组中，博士生马稳龙与香港中文大学刘仁保教授、北京计算科学中心赵楠研究员合作，在Si:P系统量子比特的退相干研究方面取得了新的理论发现，并被英国伦敦大学John J.L. Morton教授的实验组所证实，理论和实验的工作一起发表在Nature子刊系列《自然·通讯》上。
中国科学院半导体研究所2015年硕士招生专业目录
中国科学院半导体研究所 2015年 硕士招生 专业目录
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2014/8/14
中国科学院半导体研究所成立于1960年，是集半导体物理、材料、器件、工艺、电
路及其集成应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心——国
家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3个国家重点实验室——半导体超晶
格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导
体所区）；2个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验室、...