搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 半导体研究所”相关记录63条 . 查询时间(0.112 秒)
为大力弘扬科学家精神，涵养优良学风，营造创新氛围，中国科学院组织开展2023年中国科学院年度人物和年度团队评选活动，集中展示新时代涌现出的先进典型，引导干部职工对标身边榜样，心系“国家事”、肩扛“国家责”，切实履行国家战略科技力量主力军的职责使命，以科技创新实践谱写科学家精神新篇章。2023年的评选工作于2023年10月初启动，经所党委推荐，中国科学院有关部门组织专家初评和评审委员会复评，产生了1...
庄巍是集成电路及微纳技术专家，长期从事半导体和集成电路领域的应用研究和管理工作，在先进集成电路设计等领域做出的创新型工作，应用于国民经济重要部门，推动了相关领域的突破性进展。多次承担完成国家“863计划”课题，拥有多项专利，领导具有核心自主知识产权的SoC芯片量产。研发的自主产权集成电路产品进入国际市场，在“一带一路”合作国家取得优良业绩。
中国科学院半导体研究所在硅上In线的光致相变机理研究中获进展（图）
硅上In线 光致相变机理 半导体技术
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2023/4/19
自20世纪初期，量子理论对技术发展做出了重大贡献。尽管量子理论取得了成功，但由于缺乏非平衡量子系统的框架，其应用主要限于平衡系统。超短激光脉冲和自由电子加速器X射线的产生，推动了整个非平衡超快动力学领域的发展。超快现象在物理、化学和生物等领域备受关注，例如光致相变、光诱导退磁、高能离子碰撞和分子化学反应等。非平衡超快领域的实验研究成果颇丰，已成为热点。然而，实验不能给出原子尺度的原子/分子位移，故...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室高速图像传感及信息处理课题组的张钊研究员等研制出一款极低电压、低抖动低功耗频率综合器芯片。相关研究成果以题目为“0.4V-VDD 2.25-to-2.75GHz ULV-SS-PLL Achieving 236.6fsrms Jitter, -253.8dB Jitter-Power FoM, and -76.1dBc Reference Spur”...
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，b），并揭示了对称性在其中扮演的重要作用。2023年1月06日，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-ed...
中国科学院半导体研究所发现一种自旋存算器件全电写入新方式（图）
自旋存算器件 全电写入新 新方式
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2023/3/6
自旋电子学存算器件是后摩尔时代信息科学的潜在解决方案之一。如何实现垂直磁各向异性比特的高能效全电驱动是目前高密度自旋存算技术亟待突破的重要课题。传统材料（如重金属和拓扑材料等）由于对称性保护只能产生面内横向极化自旋（σy），其角动量无法翻转垂直磁各向异性比特。因此，寻找垂直有效磁场和垂直极化自旋（σz）的有效产生方法成为近年来的科学前沿和研究热点。
中国科学院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”（Continuous Single-Crystall...
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开，探讨制约发光效率的关键因素和物理机制，深入研究器件结构和关键工艺技术，实现高效高可靠性大功率LED，解决半导体照明领域核心器件问题。
130lm/W半导体照明集成技术研究是“十一五”平台建设的技术任务目标，也是半导体照明进入通用照明道路中的重要阶段目标。中心在围绕130lm/W半导体照明集成技术研究的同时，不断提升工艺技术水平，提高技术创新能力，建立完善的工艺技术平台，力争在新设计、新技术、新工艺开发、产业化关键技术攻关等方面具有国际一流水平。
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向新功能半导体器件与芯片
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 新功能半导体器件与芯片 半导体器件 芯片
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2022/10/4
基于锑化物和高速硅基光互连，开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片，实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片；发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片，着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向，开展高速硅光互连通信芯片研究。
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
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2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。