搜索结果: 1-4 共查到“光电子学与激光技术 半导体激光器”相关记录4条 . 查询时间(0.165 秒)
氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的超高速传输媒介，可用于硅基芯片以及系统间的数据通信。但是，硅作为间接带隙材料，发光效率极低，难以直接作为...
基于像散与理想光源成像原理的高亮度半导体激光器光纤耦合设计方法
半导体激光器 消像散 成像 光纤耦合
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2011/12/20
运用像散原理和理想光源成像原理,讨论了半导体激光器消像散设计.提出了一种基于消像散的高亮度半导体激光器光纤耦合系统的设计方法.以波长为808 nm,输出功率为10 W的半导体激光器的光纤耦合为例,给出了详细的计算方法和设计步骤.结果表明:采用该方法将半导体激光器光束耦合入数值孔径为0.22,芯径为50 μm的光纤中,耦合后输出功率为9.712 W,耦合效率为97.12%,功率密度为1.1224×1...
0.02 nm带宽近衍射极限输出的双外腔反馈半导体激光器
外腔注入 单瓣近衍射极限 宽接触条形半导体激光器
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2008/3/7
摘要:实验研究了宽接触条形双外腔反馈半导体激光器，在该激光器的输出表面镀增透膜，反馈是由高反射率平面镜和闪耀光栅组成，通过调整平面镜和光栅的倾斜角度，使得特定的空间模式和纵模注入半导体激光器，使之产生振荡，并抑制了激光腔内振荡的其他横模和纵模数，从而输出单瓣近衍射极限的激光束。同时在腔内插入标准具，使得输出激光线宽达到0.02 nm，输出功率在150 mW。输出光束的光束质量因子M2为1.16。
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