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中国科学院金属研究所专利： 制备富含{001}／{010}／{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法
中国科学院金属研究所 专利 {001} {010} {101} 晶面锐钛矿 TiO2单晶
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2023/8/29
本发明涉及锐钛矿二氧化钛单晶领域,具体为一种制备富含{001}/{010}/{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法。该方法开辟了全新的富含{001}/{010}/{101}之一种或两种以上晶面锐钛矿的合成方法,使得高活性晶面能够在更加简单而温和的条件下大量获得,解决制备困难的问题,从而可以将富含高活性晶面的锐钛矿二氧化钛单晶产品广泛的应用于光催化降解污染物、光解水制氢、染料敏华太阳能电池和光还原二...
中国科学院金属研究所专利：制备富含{001}／{010}／{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种具有高活性（001）面的锐钛矿氧化钛单晶的制备方法
水合氢离子在伊利石(001)面和(010)面吸附的密度泛函研究
水合氢离子 伊利石 吸附 密度泛函
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2018/12/25
水合氢离子在黏土矿物颗粒表面的吸附造成界面性质的变化，进而影响溶液中的金属离子吸附。为揭示水合氢离子在黏土矿物表面的吸附机理，采用密度泛函理论方法对水合氢离子(H3O+)在伊利石(001)面和(010)面上的吸附进行模拟计算。结果表明:吸附在(001)面硅氧环上方的水分子易获得质子，H3O+优先吸附于硅氧环空穴上方。(010)面的≡Al—OH易从H3O+获得质子，水分子与H3O+存...
MgB2（001）面超导结构的电子浓度第一原理分析
耐热镁合金 ZC62 ZC63 显微组织
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2009/6/10
采用密度范函理论计算了金属化合物MgB2(001)薄膜结构的电子能带结构和状态密度，计算的交换相关能分别采用LDA和GGA。规范保守赝势的计算结果表明，晶格常数与实验值误差在很小的范围内，分析了引起MgB2(001)面结构超导转变时电子浓度和偏态密度的变化情况，发现构成该超导体结构的成键有3种，着重从结构的电子浓度变化分析了其超导特性，六角蜂窝状结构中硼原子间相互作用为sp2杂化的共价键，镁原子和...
FeSe film was prepared on GaAs 001 substrate by low pressure metal-organic chemical vapor deposition. The x-ray diffraction measurement indicated that the sample was preferentially oriented with tet...
MOCVD growth, structure and magnetic properties of Fe films grown on GaAs (001) substrates
A. Iron films D. Magnetic properties D. Interface effect D. MOCVD
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2011/12/8
Thin iron films have been grown on (001) GaAs substrates by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) at different temperatures with the pressure of 150 Torr. X-ray diffraction (...
一种Ni基单晶高温合金[001]方向的持久性能与断裂行为
Ni基单晶高温合金 持久断裂 剪切
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2007/11/8
文章摘要：
利用SEM观察了一种Ni基单晶高温合金[001]方向持久断裂的断口、纵向剖面和变形后的组织结构. 结果表明: 在760-1100℃温度范围内, 合金的断裂均属于韧性断裂. 在低于800℃的低温高应力下, 合金中的 相不形成筏形组织, 合金的断裂特征为纯剪切型断裂, 对显微疏松缺陷不敏感; 随着温度的增加和应力的降低, 相逐渐发生定向粗化, 形成筏形结构, 合金的持久...
InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究
材料科学基础学科 InAs自组织量子点(线
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2007/10/26
文章摘要：
在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料，通过衬底的旋转与否及混合生长模式，得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点（线）；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连...