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本发明涉及锐钛矿二氧化钛单晶领域,具体为一种制备富含{010}/{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法。该方法开辟了全新的富含{010}或{101}晶面锐钛矿的合成方法,使得高活性{010}或{101}晶面能够在更加简单的条件下大量获得,解决了制备困难的问题,从而可以将富含高活性{010}或{101}晶面的锐钛矿二氧化钛单晶产品广泛的应用于光催化降解污染物、光解水制氢、染料敏华太阳能电池和光还原二...
中国科学院金属研究所专利： 制备富含{001}／{010}／{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法
中国科学院金属研究所 专利 {001} {010} {101} 晶面锐钛矿 TiO2单晶
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2023/8/29
本发明涉及锐钛矿二氧化钛单晶领域,具体为一种制备富含{001}/{010}/{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法。该方法开辟了全新的富含{001}/{010}/{101}之一种或两种以上晶面锐钛矿的合成方法,使得高活性晶面能够在更加简单而温和的条件下大量获得,解决制备困难的问题,从而可以将富含高活性晶面的锐钛矿二氧化钛单晶产品广泛的应用于光催化降解污染物、光解水制氢、染料敏华太阳能电池和光还原二...
中国科学院金属研究所专利：制备富含{001}／{010}／{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法
[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究
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2007/12/12
摘要 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜, 研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律. 结果表明, 399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起; 与[002]取向的薄膜相比, 未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大, 且出现了380nm附近的带边发射(NBE) 峰; 在560～580℃热处理下, 其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm 左右的带间发光峰红移; 当热...