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V掺杂CrSi2能带结构的第1性原理计算半导体材料 CrSi2 掺杂能带结构第1性原理 < 2012/11/9

采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrSi2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrSi2是具有ΔEg=0.35eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的态密度决定;V替代Cr掺杂后,费米能级进入价带,费米面插在价带的中间,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.25eV;掺杂后费米面附近的电子能...