搜索结果: 1-5 共查到“知识库 材料科学基础学科其他学科 Si-C-O”相关记录5条 . 查询时间(0.182 秒)
借助显微硬度测试、电导率测试、浸泡腐蚀实验、SEM, TEM和元素面扫描, 研究了T6和T78时效工艺对Al－0.75Mg－0.75Si－0.8Cu(质量分数, %)合金显微结构和性能的影响. 结果表明, 实验合金在T6峰值时效(180 ℃, 8 h)时, 硬度为128.3 HV, 电导率为27.3~106 S/m. 在T6(180 ℃, 5 h)基础上, 分别进行温度为195, 205和215 ...
Fe-C-Mn-Si钢中奥氏体共格孪晶界对贝氏体铁素体变体选择的影响
Fe-C-Mn-Si钢 奥氏体孪晶 变体选择 贝氏体铁素体 K-S取向关系
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2013/11/26
将C含量(质量分数)分别为0.05%和0.4%的Fe-C-Mn-Si钢进行等温处理得到贝氏体组织, 采用EBSD技术对奥氏体共格孪晶界上形成的贝氏体铁素体变体进行分析. 结果表明, 2种钢中的贝氏体铁素体与母相奥氏体均成近似K-S取向关系. 奥氏体孪晶界两侧形成取向相同的变体对.此变体对形成后, 孪晶界基本不再显现. 晶体学分析表明, 共格孪晶界两侧可能出现的变体对最多不超过3组, 且这3组变体对...
Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
GaN Si衬底 位错 TEM
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2013/11/8
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明：Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系；材料在MQW附近的穿透位错密度达108cm-2量级，且多数为刃型位错；样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错，本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进...
Consolidating condition of Cr-Si compacts and their microstructure
Metallography CrSi compacts Hot pressing
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2009/12/1
Purpose: Determine the possibility of production of CrSi compacts from Cr and si elemental powders.
Design/methodology/approach: The CrSi compacts containing 0.5, 1, 2, 3, at. % of Si were prepared
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铁含量对Al-Si-Fe合金微观组织及内耗性能的影响
快速凝固 微观组织 内耗 Al-Si-Fe合金
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2010/3/9
采用快速冷凝粉末包套挤压工艺制备了含铁量分别为1.2%和3.5%的Al-11%Si-Fe合金。研究了这两合金在挤压和退火状态下的微观组织特征和内耗行为，解释了Fe含量及其析出相、热处理状态等对内耗的影响，提出了该合金系在60～250℃温度范围产生内耗峰的机制。