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纳米集成电路关键技术及应用。
22-14纳米集成电路器件工艺先导技术。
基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术。
微纳电子器件及集成研究群体。
SiC电力电子器件关键技术及应用     SiC  电力  电子器件       < 2023/8/14
SiC电力电子器件关键技术及应用。
射频功率放大器芯片关键技术及应用。
28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用。
28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用。
GJB7715-2012军用集成电路IP核通用要求。
东南大学电磁场与微波技术学科(以下简称“学科”)所属电子科学与技术一级国家重点学科是国家双一流计划建设学科。依托该学科,1991年经国家计委批准建有毫米波国家重点实验室。作为主要成员之一,学科参与组建了“无线通信技术”2011协同创新中心和“紫金山网络通信与安全实验室”等。学科于2004年获教育部首批“创新团队”称号,2006年获批国家自然科学基金委“创新群体”。
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...
南方科技大学深港微电子学院科研方向:集成电路设计方法学;人工智能芯片;集成电路制造与工艺;微纳系统与集成。
中国电子元件行业协会章程。
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段,是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前,发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开,探讨制约发光效率的关键因素和物理机制,深入研究器件结构和关键工艺技术,实现高效高可靠性大功率LED,解决半导体照明领域核心器件问题。

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