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本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法,该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同,总剂量辐射损伤特性不同,进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态,计算晶体管总剂量辐射损伤,实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:集成芯片及其装置;以及制备微米级分散体的方法
近日,由中国科协牵头,中国科学技术信息研究所、《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司、清华大学图书馆、万方数据有限公司、中国高校科技期刊研究会和中国科学技术期刊编辑学会联合研发的《科技期刊世界影响力指数(WJCI)报告》2023年版正式发布。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院专利:基于人体信道的通信芯片
2023年11月30日,江苏省柔性电子重点实验室(全国重点实验室培育建设点)2023年学术委员会会议顺利召开。本届学术委员会由东南大学崔铁军院士担任主任,复旦大学彭慧胜院士、山西大学贾锁堂教授、常州大学王建浦教授和瑞典林雪平大学高峰教授担任副主任,黄维、李树深、郝跃、黄如、郭万林、周济、刘益春、张荣、刘小钢等院士担任学术委员会顾问,陈军、俞书宏、张跃、张华、冷劲松、马於光、胡事民等院士和专家担任学...
钟高余,复旦大学材料科学系副教授,研究方向:有机半导体材料与器件物理;二次离子质谱。
王洋,复旦大学材料科学系青年研究员,研究方向:n型聚合物半导体材料分子设计合成及其在有机场效应晶体管中的应用;本征柔性的聚合物半导体材料的设计合成及在柔性电子中的应用;新颖的共轭聚合物合成方法研究。
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法,主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量,辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值,并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值,最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除,从而大幅提...
2023年12月3日,由中国电子学会主办的“2023年全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛——FPGA创新设计竞赛”全国总决赛获奖名单公布。我院参赛队伍获得国家一等奖1项并获得易灵思杯、国家二等奖1项、国家三等奖5项,南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院获优秀组织奖。
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法,主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异,无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场,其中,电源模块和测试模块位于辐射场外,辐照模块位于辐射场内,可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测,进而获取过程数据;同时,辐照模块可放置N个待测芯片,且各待测芯片相互独立,由此可对待测芯...
王香,硕士研究生,副教授,本科毕业于聊城大学电子信息科学与技术专业,硕士毕业于山东大学软件工程专业,电子与通信工程教研室专任教师,青年教学能手。
王树昆,硕士生导师,教授,中国电子学会高级会员,山东省科技发展计划项目评审专家,山东省自主创新成果转化重大专项验收鉴定专家,山东省国家战略性创新产品和国家重点新产品计划项目推荐评审专家,山东省高等学校质量工程项目评审专家,河北省科技奖励评审专家。
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法,该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻,将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后,在温度900℃经一次热处理,在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构,既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润,进而形成致密的封装结构,且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高,可耐受室温?900℃热冲击1000次,且零功率电...

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