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深圳先进院等研发出水驱动的形状自适应柔软可拉伸电极（图）
可拉伸电极 电子器件 神经元监测
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2024/1/17
硬质电路中的不同电子设备的连接通常是一项简单的任务，因为它们拥有成对的标准接口，形状和尺寸完美匹配。然而，柔软可拉伸电子器件，作为新兴的主要用于生物界面接口的电子设备，其器件间集成方法仍需探索，且器件与生物组织的接口无法标准化，因为生物组织不仅柔软，其形状和尺寸也多种多样，目前缺乏能够实现柔软生物组织与复杂电子界面标准化快速集成的手段。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：车载测污激光雷达的激光光路快速阻断装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 车载测污 激光雷达 激光光路 光快速阻断装置
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2023/12/14
中国科学院合肥物质科学研究院专利：车载测污激光雷达的激光光路快速阻断装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：高功率强激光耦合传输光纤
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 强激光 耦合传输光纤
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2023/12/14
中国科学院合肥物质科学研究院专利：高功率强激光耦合传输光纤
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
中国科学院微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展（图）
氮化镓器件 氮化物 半导体
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2024/2/29
2023年12月11日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。
激光驱动相干声子，加速极化子传输（图）
激光驱动 相干声子 加速 极化子传输
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2024/1/9
极化子是由虚声子云修饰的电子（或空穴）组成的准粒子，广泛存在于金属氧化物、二维材料等体系中，并在多种新奇的物理现象，如高温超导、铁电、光催化中起到关键作用。由于载流子的强局域化，极化子往往具有超低的迁移率、损害光电器件的使用性能。当前，利用超快光学手段探测和调控量子材料的物性已成为一大研究热点。然而，非平衡态下极化子的传输机制仍不明晰，有效的调控手段也尚未提出。
2023年12月3日至6日，中国国际大学生创新大赛（2023）全国总决赛在天津大学举行，由我院蔡志匡教授指导的“华芯智测—国产化测试EDA领跑者”项目获高教主赛道全国金奖。这是我院在该项重大赛事中首次摘金，实现了零的突破。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 均流 大电流 电子开关
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2023/12/8
中国科学院合肥物质科学研究院专利：静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 压电感应式 电子称重 测量电路
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2023/12/8
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 自动监测 仿真 并行化处理
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2023/12/8
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 虚拟仿真系统 力觉反馈 计算方法
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2023/12/8
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：制备微米级分散体的集成芯片及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 微米级分散体 集成芯片
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2023/12/7
中国科学院深圳先进技术研究院专利：制备微米级分散体的集成芯片及其装置
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...